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何晓曦
作品数:
6
被引量:5
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
徐俊英
中国科学院半导体研究所
徐遵图
中国科学院半导体研究所
杨国文
中国科学院半导体研究所
陈良惠
中国科学院半导体研究所
张敬明
中国科学院半导体研究所
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单量子阱
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单量子阱激光...
机构
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中国科学院
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北京工业大学
作者
6篇
张敬明
6篇
陈良惠
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何晓曦
6篇
杨国文
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徐遵图
6篇
徐俊英
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李世祖
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王启明
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3篇
Journa...
3篇
高技术通讯
年份
2篇
1997
4篇
1996
共
6
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掺铒光纤放大器泵浦源用980nm量子阱激光器
1996年
我们利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AIGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140A/cm2,激发波长在980urn左右.通过脊型波导结构的制备,获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980urn量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为15mA和0.8mW/mA,基横模的输出功率大于80mW,器件在50℃,80mw的恒功率老化实验表明,器件具有较好的可靠性.通过与掺铒光纤的耦合,其组合件出纤功率可达60mW以上.
杨国文
徐俊英
徐遵图
张敬明
肖建伟
何晓曦
陈良惠
王启明
关键词:
量子阱激光器
掺铒光纤放大器
泵浦源
低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器
1996年
报道了低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器的制备,介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制ps特性。该激光器激射波长约为850nm,调谐宽度为7nm。
张敬明
徐遵图
杨国文
李世祖
郑婉华
何晓曦
肖建伟
徐俊英
陈良惠
关键词:
激光器
放大器
980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
1996年
报导了脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为9mA,典型值为15mA,线性输出光功率大于120mW,微分量子效率典型值为60%(镀高反膜和增透膜),50℃、80mW恒定功率条件下老化实验结果表明:该条件下激光器寿命超过1000小时。
徐遵图
徐俊英
杨国文
张敬明
肖建伟
何晓曦
郑婉华
陈良惠
关键词:
应变层
激光器
INGAAS
ALGAAS
砷化镓
用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器
1997年
利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到120A/cm2,激发波长在980nm左右。获得了高性能的适合于掺饵光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流为15mA,外微分量子效率的典型值和最好值分别为0.8mW/mA和1.0mW/mA,线性输出功率大于120mW,在20℃一50℃的特征温度T0为125K。器件在59℃,80mW下的恒功率老化实验表明具有较好的可靠性,与掺铒单模光纤耦合的组合件出纤功率可达63mW。
杨国文
徐俊英
徐遵图
张敬明
何晓曦
陈良惠
关键词:
量子阱激光器
掺铒
光纤放大器
分子束外延
GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱掩埋条形激光器
被引量:1
1996年
利用MBE生长的GaAs/AlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相外延二次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体激光器.经腔面镀膜后,器件已稳定工作4500多小时.
李世祖
张敬明
杨国文
徐遵图
何晓曦
徐俊英
肖建伟
陈良惠
关键词:
多量子阱
GAAS
ALGAAS
激光器
低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
被引量:4
1997年
利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.在腔长900μm时,80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm2,在腔长为2000μm时是113A/cm2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值.激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm-1和84%.
徐遵图
徐俊英
杨国文
张敬明
陈昌华
何晓曦
陈良惠
沈光地
关键词:
量子阱激光器
分子束外延
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