何友琴
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学语言文字文化科学更多>>
- GaN单晶中Mg含量的SIMS定量分析方法
- 2020年
- GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在其单晶材料的研制过程中,掺杂剂Mg的含量对生长p型GaN有重要影响,所以对Mg浓度的精确测定至关重要。采用相对灵敏度因子法,以离子注入样品为参考样品,对GaN单晶中Mg元素含量的二次离子质谱(SIMS)定量分析方法进行了研究,并通过改变扫描面积,使GaN单晶中Mg元素浓度的检测限达到5.0×1015 cm-3。该方法具有高稳定性(精密度小于10%)和可靠性,在没有可溯源参考样品的情况下,可自制参考样品实现对GaN晶体中Mg含量的SIMS定量分析。该方法成为GaN单晶中Mg杂质含量的可行的检测方法之一。
- 何友琴马农农陈潇张鑫刘立娜
- 关键词：氮化镓镁
- 表面化学分析.二次离子质谱.由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子
- 本标准指定了一种由离子注入参考物质确定二次离子质谱分析中相对灵敏度因子的方法。本标准适用于基体化学成分单一的样品，其中注入物质的峰值原子浓度不超过1%。
- 马农农何友琴何秀坤
- 关键词：质谱学表面性质灵敏度
- 文献传递
- Si_3N_4钝化层质量分析研究被引量：1
- 2009年
- 采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系。通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效。实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过1 000 h电老化后芯片表面无生成物产生。
- 丁丽严如岳何秀坤李宝珠李雨辰何友琴马农农章安辉刘立娜
- 关键词：氮化硅钝化层生成物
- 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- 1.1本标准规定了硅和外延片表面Na，Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na，Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量，因此该...
- 何友琴马农农丁丽
- 关键词：硅质谱学
- 文献传递
- 砷化镓中铜的SIMS定量分析
- 2005年
- 砷化镓中铜的SIMS定量分析是有效控制砷化镓中杂质铜的浓度的重要手段,本文介绍用相对灵敏度因子定量分析砷化镓中铜的方法。
- 何友琴马农农
- 关键词：SIMS
