李宝珠
- 作品数：12 被引量：19H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程金属学及工艺更多>>
- 半导体激光器在不同制冷条件下散热研究被引量：2
- 2015年
- 对半导体激光器在不同制冷条件下的散热进行实验研究。通过设计温度测试系统,分别在被动制冷、单条水路主动制冷和U型回路主动制冷的条件下,测量了多个高功率LD在不同工作电流下的温度,研究了在不同制冷条件下LD温度随电流的变化,发现U型回路主动制冷条件下,LD的散热效果最好。
- 韩桂云王晓龙龙润泽张培培李宝珠张雪莲孙雪莲张鹏黄榜才梁小红
- 关键词：半导体激光器高功率光纤激光器散热制冷
- 高功率光纤激光器关键技术及进展被引量：1
- 2015年
- 光纤激光器凭借其优良特性,在光纤通信、传感、工业加工、国防和军事等领域得到了广泛应用。分别论述了增益光纤技术、泵浦耦合技术、激光模式控制技术和光束合成技术等四大高功率光纤激光器关键技术的研究进展情况,并在总结、分析的基础上,展望了部分关键技术的发展趋势。
- 黄榜才李宝珠李强梁小红
- 关键词：光纤激光器高功率
- Si_3N_4钝化层质量分析研究被引量：1
- 2009年
- 采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系。通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效。实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过1 000 h电老化后芯片表面无生成物产生。
- 丁丽严如岳何秀坤李宝珠李雨辰何友琴马农农章安辉刘立娜
- 关键词：氮化硅钝化层生成物
- 压延法制备PTFE/TiO2片材的厚度均匀性优化
- 2020年
- 采用统计过程控制(SPC)方法对压延过程进行管控,寻找控制点,开展DOE试验。确定最优压延工艺:压延方向为旋转法,辊间隙调节方法为分段微调,循环2次。对小批量片材压延的过程能力进行分析,过程能力指数为1.13,说明改善后的压延工艺稳定可靠。以最优的压延工艺制备聚四氟乙烯/二氧化钛(PTFE/TiO2)复合片材并制得介质基板,微观形貌显示TiO2陶瓷粉在基体中均匀分散,10 GHz下介电常数为9.97 F/m,介质损耗为0.0021,在400 mm×400 mm内测试100点厚度为(0.715±0.020)mm,厚度均匀性得到了优化。
- 李宝珠贾倩倩金霞张立欣
- 关键词：压延工艺聚四氟乙烯过程能力指数
- 高质量CdSe单晶生长及其OPO性能研究
- 2020年
- 本文利用有籽晶的HPVGF法生长了尺寸为∅54 mm×25 mm的高质量CdSe单晶,晶体为纤锌矿结构,(002)和(110)面的XRD摇摆曲线半高宽分别为54.4″和45.6″。使用红外显微镜和扫描电镜-能谱分析仪对晶体内部的夹杂相进行测试,表明晶体内部存在小尺寸富Se夹杂相。CdSe晶片在2.5~20μm范围内的透过率高于68%,平均吸收系数为0.037 cm^-1。制备出尺寸为10 mm×12 mm×50 mm且满足第Ⅱ类相位匹配条件的CdSe晶柱,在重频1 kHz,波长2.09μm的Ho∶YAG调Q泵浦源激励下,实现了中心波长为11.47μm,线宽为33.2 nm的激光输出,最大输出功率为389 mW。
- 李宝珠高彦昭王健程红娟陈毅姚宝权
- 关键词：非线性光学晶体光参量振荡器
- 基于光纤合束器的泵浦方案设计
- 2015年
- 报道了两种基于光纤合束器的高功率光纤激光器泵浦方案设计。实验研究了(6+1)×1光纤合束器泵浦耦合方案与(6+1)×1、7×1光纤合束器级联泵浦耦合方案,利用后者实现了806W泵浦功率输出,耦合效率达到90.6%。
- 黄榜才张鹏李宝珠张培培王晓龙龙润泽韩桂云张雪莲梁小红
- 关键词：激光光纤激光器高功率
- 有机非线性光学晶体DAST的太赫兹发射性能
- 2020年
- 研究了DAST晶体的有效二阶非线性系数和太赫兹发射性能。实验以DAST-甲醇溶液的亚稳区范围为依据,采用溶液降温法进行DAST的生长。实验发现,降温速率越快,晶体的生长速度越快,但晶体易发生多晶转变;在晶体生长后期,采用较慢的降温速率,有利于晶体厚度的增加。经磨抛后的晶体表面粗糙度能够达到光学测试等级(微米级)要求。经测试,DAST晶片有效二阶非线性系数平均值为16.58 pm/V,实现了频率范围0.84~10 THz的太赫兹波发射,并在2.72 THz处具有最大发射强度。
- 李宝珠武聪庞子博
- 关键词：太赫兹
- 无氧铜密封件漏气原因的金相显微分析被引量：2
- 2010年
- 用于电真空器件密封用的无氧铜在使用中漏气,利用金相显微技术对不同氧含量的无氧铜进行对比分析,发现:无氧铜中氧含量偏高,出现"氢病",造成微裂纹,导致无氧铜在使用过程中出现漏气。
- 丁丽章安辉李宝珠周智惠刘立娜
- 关键词：无氧铜微裂纹
- 宽禁带半导体材料技术被引量：11
- 2010年
- 宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境。在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展。
- 李宝珠
- 关键词：宽禁带半导体
- 碳化硅单晶切割技术研究被引量：2
- 2009年
- 碳化硅单晶材料是第三代宽禁带半导体材料的代表,对电子产业的发展起到强有力的支撑。晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的加工技术下才能发挥实际效能。本文介绍了切割工艺,通过工艺实验及对实验结果的分析,确定了切割工艺参数。
- 李宝珠冯玢
- 关键词：碳化硅
