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于志敏

作品数:18 被引量:0H指数:0
供职机构:福州大学更多>>
相关领域:交通运输工程建筑科学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 10篇电路
  • 9篇单电子晶体管
  • 9篇晶体管
  • 8篇逻辑功能
  • 6篇MOS管
  • 5篇混合电路
  • 5篇摆幅
  • 5篇背栅
  • 4篇混合结构
  • 3篇电路功耗
  • 3篇电阻
  • 3篇选通
  • 3篇双栅
  • 3篇双阈值
  • 3篇锁存
  • 3篇锁存器
  • 3篇阈值
  • 3篇逻辑函数
  • 3篇可复用
  • 3篇集成电路

机构

  • 18篇福州大学

作者

  • 18篇于志敏
  • 15篇魏榕山
  • 15篇何明华
  • 12篇陈锦锋
  • 3篇黄凤英
  • 3篇陈寿昌
  • 1篇樊明辉
  • 1篇王俊
  • 1篇曹乐平

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 10篇2013
  • 1篇2010
  • 1篇2005
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门
本实用新型利用新型纳米电子器件单电子晶体管与MOS管混合结构所具有的库仑阻塞振荡效应和多栅输入特性,提出了一种MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门。通过偏置输入端和控制端,该逻辑单元就能够实现或、或非、与、与非、...
魏榕山陈锦锋于志敏何明华
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MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门
本发明利用新型纳米电子器件单电子晶体管与MOS管混合结构所具有的库仑阻塞振荡效应和多栅输入特性,提出了一个基于SET/MOS混合结构的可复用逻辑门。通过偏置输入端和控制端,该逻辑单元就能够实现或、或非、与、与非、异或、同...
魏榕山陈锦锋于志敏何明华
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基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器
本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器,包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管,其特征在于:所述PMOS管的源极连接电源电压V<Sub>dd</Sub>,栅极作为所述锁存器的输入端,漏极作为...
魏榕山陈寿昌于志敏黄凤英何明华
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SET/MOS混合电路构成的阈值逻辑型超前进位加法器
本发明利用单电子晶体管与MOS管混合结构所具有的库仑阻塞振荡效应和多栅输入特性,实现了基于阈值逻辑的超前进位加法器。由于阈值逻辑强大的逻辑功能,该电路仅由10个阈值逻辑门构成,整个电路仅消耗30个器件。与传统的纯CMOS...
魏榕山陈锦锋于志敏何明华
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一种分布式无线继电器组控制装置
本实用新型涉及一种分布式无线继电器组控制装置,包括一主控制装置以及与其通过无线网络相连的N个子控制装置,所述主控制装置和子控制装置均包括一主控MCU模块以及与其相连的一CPLD模块、一稳压电源及复位模块、一电平转换模块以...
王俊樊明辉于志敏曹乐平王少昊
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SET/MOS混合电路构成的阈值逻辑型超前进位加法器
本发明利用单电子晶体管与MOS管混合结构所具有的库仑阻塞振荡效应和多栅输入特性,实现了基于阈值逻辑的超前进位加法器。由于阈值逻辑强大的逻辑功能,该电路仅由10个阈值逻辑门构成,整个电路仅消耗30个器件。与传统的纯CMOS...
魏榕山陈锦锋于志敏何明华
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SET/MOS混合电路构成的选通逻辑电路
本实用新型涉及一种SET/MOS混合电路构成的选通逻辑电路,包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管,所述PMOS管的源极连接电源V<Sub>dd</Sub>,栅极连接一基准电压V<Sub>pg</Sub>,漏极作...
魏榕山陈锦锋于志敏何明华
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瑞利波作用下桩-土-桥梁结构动力相互作用问题研究
于志敏
关键词:RAYLEIGH波粘弹性人工边界等效线性化
单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元
本发明涉及一种单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元,包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管,所述PMOS管的源极连接电源V<Sub>dd</Sub>,栅极连接一基准电压V<Sub>pg</Sub>,漏极作为...
魏榕山陈锦锋于志敏何明华
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MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门
本发明利用新型纳米电子器件单电子晶体管与MOS管混合结构所具有的库仑阻塞振荡效应和多栅输入特性,提出了一个基于SET/MOS混合结构的可复用逻辑门。通过偏置输入端和控制端,该逻辑单元就能够实现或、或非、与、与非、异或、同...
魏榕山陈锦锋于志敏何明华
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共2页<12>
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