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黄凤英
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7
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供职机构:
福州大学
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合作作者
黄继伟
福州大学
安奇
福州大学
许育森
福州大学
林安
福州大学
陈寿昌
福州大学
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福州大学
作者
7篇
黄凤英
4篇
林安
4篇
许育森
4篇
安奇
4篇
黄继伟
3篇
魏榕山
3篇
于志敏
3篇
何明华
3篇
胡炜
3篇
陈寿昌
1篇
王俊
年份
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2016
5篇
2013
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高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路,其特征在于:包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5,电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N...
胡炜
许育森
黄继伟
黄凤英
林安
安奇
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高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
本实用新型涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路,其特征在于:包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5,电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2...
胡炜
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基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器
本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器,包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管,其特征在于:所述PMOS管的源极连接电源电压V<Sub>dd</Sub>,栅极作为所述锁存器的输入端,漏极作为...
魏榕山
陈寿昌
于志敏
黄凤英
何明华
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高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路,其特征在于:包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5,电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N...
胡炜
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基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器
本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器,包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管,其特征在于:所述PMOS管的源极连接电源电压V<Sub>dd</Sub>,栅极作为所述锁存器的输入端,漏极作为...
魏榕山
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基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器
本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器,包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管,其特征在于:所述PMOS管的源极连接电源电压V<Sub>dd</Sub>,栅极作为所述锁存器的输入端,漏极...
魏榕山
陈寿昌
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超高频RFID的PIE解码与CRC校验同步进行的电路
本实用新型提供一种超高频RFID的PIE解码与CRC校验同步进行的电路,包括边沿检测脉冲模块、行波计数器、状态机、比较器、CG模块以及CRC模块;边沿检测脉冲模块的输出端分别与行波计数器、状态机以及CG模块的输入端连接,...
王俊
黄凤英
黄继伟
许育森
安奇
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