黄辉
- 作品数:8 被引量:3H指数:1
- 供职机构:中国计量科学研究院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信电气工程更多>>
- 混合双通道毫米波衰减测量方法及系统
- 本发明公开了混合双通道毫米波衰减测量方法及系统,本发明将两个基于音频替代法原理的单通道衰减测量系统有机地组合在一起构成混合双通道毫米波衰减测量系统,两个通道共用一个信号源,信号源和本振源共用一个参考信号,两个通道采用不同...
- 高秋来李勇梁伟军黄辉
- 文献传递
- 太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制(英文)被引量:3
- 2018年
- 研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 m A/mm和1 640 m S/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect-Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率ft和最大振荡频率f_(max)分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的f_(max)更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035Ω·mm.
- 王志明黄辉胡志富赵卓彬崔玉兴孙希国李亮付兴昌吕昕
- 关键词:磷化铟赝配高电子迁移率晶体管INALAS/INGAAS在片测试单片集成电路
- 基于嵌入式计算机PC/104实现的衰减测量接收机
- 衰减是无线电计量领域中的重要参数之一,很多参数的计量测试都与衰减计量紧密相连。如对射频和微波的大功率、高电压、微小功率和微小电压的计量测试都离不开对衰减的校准。在通信、雷达、遥控等工程设计及研究中都涉及到对衰减的计量测试...
- 黄辉
- 关键词:嵌入式
- 文献传递
- 求网络分析仪校准后剩余误差项的时域方法
- 本文通过研究G.Wubbeler[3]提出的求网络分析仪校准后剩余误差项的时域方法,对该方法的理论模型进行了分析,并对该方法的正确性利用7mm测量系统进行了验证。最后,本文把该时域方法的应用范围扩展到了1.85mm测量系...
- 宋翠莲刘欣萌黄辉
- 关键词:网络分析仪
- 文献传递
- 混合双通道毫米波衰减测量方法及系统
- 本发明公开了混合双通道毫米波衰减测量方法及系统,本发明将两个基于音频替代法原理的单通道衰减测量系统有机地组合在一起构成混合双通道毫米波衰减测量系统,两个通道共用一个信号源,信号源和本振源共用一个参考信号,两个通道采用不同...
- 高秋来李勇梁伟军黄辉
- 一种本振相位噪声抵消方法及电路
- 本发明提供了一种本振相位噪声抵消方法及电路,该电路中包括两个混频器,其中第一混频器的射频输入端连接射频输入信号,第二混频器射频输入端接一负载,本振信号源分别与第一混频器和第二混频器的本振信号输入端连接,第一混频器和第二混...
- 高秋来李勇梁伟军黄辉
- 文献传递
- 同轴校准件模型在OSL单端口校准中的应用
- 校准件的参数模型是由其物理结构导出的。本文介绍同轴校准件参数模型的建立和定义。以网络分析仪单端口反射测量过程为例,说明校准件参数模型在网络分析仪OSL校准过程中的应用。
- 黄辉刘欣萌
- 关键词:网络分析仪
- 一种本振相位噪声抵消方法及电路
- 本发明提供了一种本振相位噪声抵消方法及电路,该电路中包括两个混频器,其中第一混频器的射频输入端连接射频输入信号,第二混频器射频输入端接一负载,本振信号源分别与第一混频器和第二混频器的本振信号输入端连接,第一混频器和第二混...
- 高秋来李勇梁伟军黄辉
- 文献传递