孙希国
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：河北半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制（英文）被引量：3
- 2018年
- 研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 m A/mm和1 640 m S/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect-Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率ft和最大振荡频率f_(max)分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的f_(max)更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035Ω·mm.
- 王志明黄辉胡志富赵卓彬崔玉兴孙希国李亮付兴昌吕昕
- 关键词：磷化铟赝配高电子迁移率晶体管INALAS/INGAAS在片测试单片集成电路
- 太赫兹InP HEMTs的神经网络建模方法被引量：2
- 2015年
- 包含新技术、新材料的非传统器件的不断涌现使现有的模型已不能完全表征THz器件的特性。而采用神经网络建模的方法,可极大地提高建模的效率和精确度,解决一系列传统模型所无法解决的问题,是一种新型的CAD建模方法。本文采用神经网络空间映射的方法,在传统的粗模型的基础上对输入信号进行有效地修正,从而得到适合太赫兹器件的精确模型,器件的截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为220GHz和310GHz。模型在直流IV和1-110GHz范围内的S参数与测试结果吻合较好,比传统粗模型的精度有了较大的提高。
- 杜光伟胡志富刘亚男孙希国崔玉兴
- 关键词：太赫兹神经网络空间映射INPHEMTS
- 0.25μm高精度T型栅制作工艺研究
- 2015年
- 基于双层胶i线光刻工艺,对0.25μm T型栅制作技术进行了优化,采用Relacs工艺处理方法缩短了栅长,满足了栅长精度要求,通过工艺优化解决了双层胶之间不同胶层间的互溶问题。通过优化制作流程,形成了工艺规范,解决了工艺中存在的一致性及稳定性差的问题,最终采用双层胶工艺制作成功形貌良好的0.25μm高精度T型栅。工艺优化结果表明,与其他0.25μm T型栅制作工艺方法相比,双层胶i线光刻工艺具有制作效率高和精度高的优点,基于其制作的T型栅结构有利于金属淀积和剥离,栅根及栅帽形貌良好,为Ga As及Ga N微波器件及MMIC制作提供了可靠的工艺技术。
- 孙希国崔玉兴付兴昌
- 关键词：光刻T型栅
