鲍嘉明
- 作品数：31 被引量：36H指数：3
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- 相关领域：电子电信电气工程文化科学一般工业技术更多>>
- 高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法
- 本发明公开一种高压P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有深N型阱，在深N型阱上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有N型接触孔、P型源及场氧化层，在P型漂移区上设有P型漏及场氧化层，其特征在于位于N型阱上...
- 鲍嘉明贾侃李海松孙伟锋陆生礼时龙兴
- 文献传递
- RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究
- 2016年
- LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究,给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析,发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终,通过综合分析影响器件的关键因素,得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。
- 安达露鲍嘉明
- 关键词：LDMOSRESURF
- 基于变化电子流向的一种高压VDMOS静态物理模型
- 2007年
- 研究了高压VDMOS内部电子流向的变化,提出了其近似解析表达式,在此基础之上,求得了电子密度分布变化的解析表达式,从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明,由于这一模型是基于更为合理的电子流向变化和电子密度分布变化的解析表达式而建立的,所以与Yeong-seuk Kim等人模型和参考文献[2]的模型相比,在较大的工作电压范围内,其计算精度的提高都是非常显著的。
- 鲍嘉明时龙兴孙伟锋赵野陆生礼
- 关键词：电子密度分布
- 一种基于升压DC-DC变换器的白光LED驱动芯片被引量：10
- 2011年
- 设计了一种升压型恒流LED驱动芯片,驱动电流可由外接电阻从15~300 mA任意调整,输入电压为2.8~5.5 V,输出电压最高可达38 V。设计固定开关频率为1 MHz,应用时只需很小的外接电感即可。相对于其他驱动器电路,该驱动器增加了过压保护电路,无需外接稳压二极管,降低了应用成本。采用上华0.5μm BCD工艺完成芯片的设计,传输效率高达94%。
- 张彦科鲍嘉明
- 关键词：过压保护PWM白光LED
- 汽车主动防撞系统的中频信号处理模块被引量：3
- 2015年
- 为对汽车主动防撞系统的核心硬件进行设计,需首先构建中频信号处理模块。在计算得到滤波及放大电路的关键参数后,基于双运放MC33078,设计实现了包含高通和低通两个单元的滤波电路。利用可调增益放大器AD603和静电计级运算放大器OPA128等设计实现了AGC环路,该环路同时包含可调增益放大器、峰值检波电路和AD/DA转换电路。对所设计的关键电路进行了模拟验证,并通过对静态目标的测距实验,验证了该中频信号处理模块对雷达测距的适用性和测试值相对于计算值的准确性。
- 张鉴戚昊琛高伟清鲍嘉明
- 关键词：汽车主动安全中频信号处理滤波电路
- 采用同步整流技术的超薄高效电源设计
- 设计了一款用于32寸液晶电视的150W超薄高效电源,提供三路输出,分别给待机电源提供5V电压,音响提供12V电压和LCD液晶屏提供24V电压。在半桥LLC串联谐振转换器中,传统的同步整流技术采用的是整流二极管,本文通过采...
- 郝志燕鲍嘉明
- 关键词：液晶电视电源效率同步整流技术
- 基于Simulink的Buck型DC-DC变换器的建模与仿真被引量：6
- 2019年
- DC-DC变换器是所有开关变换器的基础和核心。其中,Buck变换器是最典型的电路结构,对它进行建模仿真,能对其它电路结构的建模仿真有较大的参考意义。文中运用了电路分析法和Simpower法对主电路进行建模仿真,再通过开关元件平均法建立主电路的传递函数;对控制环路中模块进行建模并推导其传递函数,用Simulink仿真,得到未补偿时的波特图,根据未补偿时的波特图设计补偿网络,得到补偿后的波特图。最后用Simulink建立开环和闭环系统的仿真模型,对比波形得到闭环系统的动态性能得到提高。
- 邹耀鲍嘉明陈亮宋奇伟
- 关键词：BUCK变换器电压模式控制SIMULINK仿真
- 一种简化的高压VDMOS静态物理模型
- 本文对于VDMOS漂移区中由泊松方程得到的解析解,通过进行一些近似处理,将其由一个关于电场的隐含表达式转化为近似的电场的显式表达式,这样就在较大程度上简化了模型的计算过程,从而得到了一种简化的VDMOS静态物理模型.器件...
- 鲍嘉明孙伟锋赵野陆生礼
- 关键词：半导体器件金属氧化物泊松方程
- 文献传递
- 硅高压VDMOS漂移区静态物理模型的一种改进被引量：1
- 2006年
- 在Yeong-seukKim等人模型[1]的基础之上,提出了一种改进的VDMOS静态物理模型。该模型特别考虑了VDMOS器件中漂移区载流子的密度分布,并且近似得到了漂移区中泊松方程的解析解。器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了改进静态物理模型的计算精度,与Yeong-seukKim等人的模型相比,改进模型的计算精度有较大的提高。
- 鲍嘉明孙伟锋赵野陆生礼
- 关键词：解析解
- VDMOS准饱和特性数学模型研究
- 2014年
- 借助电脑软件仿真深入研究了VDMOS电场分布特性,并且从数学角度研究了VDMOS漂移区垂直方向上电压降落的情况。建立了VDMOS准饱和特性的数学模型,给出了VDMOS工作在临界准饱和区域的栅极电压的计算方法,为器件工作的安全区域设定了边界条件。在研究过程中发现,VDMOS漂移区垂直方向上的电场最大值出现的位置基本固定不变,它不随着栅极电压、漂移区掺杂浓度和栅氧厚度的变化而变化,而是随着漏电压的变化而变化,这主要是由于漂移区内B区域横截面积和电子速度都在随着栅极电压的增大而增大造成的。此结论不仅为文中准饱和模型的创建提供了一种简便的方法,而且对以往模型的简化和改进提供了理论依据。
- 李洪朋鲍嘉明
- 关键词：横截面积栅极电压
