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陈修治

作品数：10 被引量：3H指数：1
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信核科学技术一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇单晶
  • 8篇硅单晶
  • 3篇直拉硅
  • 3篇直拉硅单晶
  • 2篇氮含量
  • 2篇破碎率
  • 2篇气相
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇硅
  • 2篇表面温度
  • 2篇掺氮
  • 2篇掺锑
  • 2篇常压
  • 2篇成品率
  • 1篇单色光
  • 1篇氮浓度
  • 1篇直拉法
  • 1篇少子寿命
  • 1篇轴向分布

机构

  • 8篇浙江大学
  • 2篇杭州大学

作者

  • 10篇陈修治
  • 5篇李立本
  • 5篇阙端麟
  • 2篇樊瑞新
  • 1篇林玉瓶

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇第十届全国半...

年份

  • 2篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1990
  • 1篇1989
  • 2篇1988
  • 1篇1986
  • 1篇1983
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮气氛下生长的直接硅单晶中的氮浓度轴向分布
陈修治林玉瓶李立本
关键词：单晶氮晶体生长半导体材料
半无穷大样品中非均匀光注入条件下寿命测量的若干问题
陈修治
环境气氛以于直拉硅单晶生长过程中的热量传输以及生长过程的影响
陈修治赵松宏
关键词：半导体材料
重掺锑硅单晶的制造方法
一种以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法，其特征在于熔硅、掺锑、拉晶过程中所采用的氮气保护气氛为减压－－常压－－减压的保护气氛。采用这种方法制造的重掺锑硅单晶的制造成本比充氩保护制造重掺锑硅单晶的方法可降低成本１５...
阙端麟李立本陈修治
文献传递
以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法
一种以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法，其特征在于熔硅、掺锑、拉晶过程中所采用的氮气保护气氛为减压——常压——减压的保护气氛。采用这种方法制造的重掺锑硅单晶的制造成本比充氩保护制造重掺锑硅单晶的方法可降低成本15...
阙端麟李立本陈修治
文献传递
直拉硅单晶的气相掺氮方法
一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，采用纯度为９９．９９％的氮气或者氩－氮混合气作为保护气氛实现气相掺氮，控制炉内气体压力为５～６０托，最佳压力为１５～２５托，气体流量为１～６ｍ<Sup>2</Sup>／ｈｒ，最佳流量为２～５...
阙端麟李立本陈修治
文献传递
直拉法生长过程中硅单晶锭表面温度的辐射法测量
＜正＞一．辐射法测量硅的表面温度的意义对于直拉硅单晶生长过程中单晶内部的温度分布的深入了解和有效控制是控制直拉硅单晶中的位错和微缺陷的关键。为此首先必须建立可靠的分析研究方法。采取以实验测量和数值计算相接合是解决这一问题...
陈修治樊瑞新
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生长过程中硅单晶表面温度的辐射法测量
陈修治樊瑞新
关键词：硅单晶表面温度
文献传递网络资源链接
直拉硅单晶的气相掺氮方法
一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，采用纯度为99.99％的氮气或者氩-氮混合气作为保护气氛实现气相掺氮，控制炉内气体压力为5～60托，最佳压力为15～25托，气体流量为1～6m<Sup>3</Sup>/hr，最佳流量为2～5...
阙端麟李立本陈修治
文献传递
单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式被引量：3
1995年
本文在数值分析和实验数据的基础上，提出了用单色光高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命的表面复合修正公式。
阙端麟陈修治徐冬良
关键词：硅少子寿命
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共1页<1>
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