林玉瓶
- 作品数：8 被引量：6H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
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- 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备
- 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备，其特征是硅烷和氨气的气相化学反应是在立式双温区流态反应器3中进行，该反应器流态床底部设有不锈钢制造的分配板31，载体填料32是粒度为0.1～0.5mm的硅晶体，床层外部设有主加热器3...
- 姚奎鸿周晓茹张焕林林玉瓶余京松沃银花
- 文献传递
- 氮气氛下直拉硅单晶的杂质控制被引量：2
- 1992年
- 通过改变埚转、氮气流量及多晶熔化时间等拉晶参数,便能简单而有效地控制其氧碳氮杂质,并在实际生产中运用获得成功。
- 杨德仁李立本林玉瓶姚鸿年阙端麟
- 关键词：氮气硅单晶
- 采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶的方法
- 本发明属于直拉（切氏法）硅单晶生长技术领域。采用纯氮作为直拉硅单晶的保护气体，所用的氮气纯度为９９．９９９％以上，进入炉内氮气压力为０．５～６０托，氮气流量为２～５０升／分，所用的充氮设备及控制方法与充氩工艺相同。由于氮...
- 阙端麟李立本林玉瓶
- 文献传递
- 氮气氛下生长的直接硅单晶中的氮浓度轴向分布
- 陈修治林玉瓶李立本
- 关键词：单晶氮晶体生长半导体材料
- 半绝缘多晶硅钝化技术研究及其应用被引量：4
- 1991年
- 1 前言 半导体器件的稳定性除了与器件的制造材料、器件本身的结构有关外,在相当大的程度上还取决于对其表面的保护措施——即表面钝化。钝化是改善器件性能和提高可靠性所不可缺少的手段和重点工艺。早在五十年代。
- 陈福元陈启秀陈忠景章婉珍林玉瓶
- 关键词：半绝缘多晶硅钝化半导体器件
- ECR微波等离子体CVD制备a—Si:H薄膜
- 1992年
- 电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积(ECRPCVD)应用于制备a—Si:H薄膜,其沉积速率大于射频等离子体化学气相沉积(RFPCVD),而且在基体不加温情况下也能获得比较满意的特性。根据红外吸收谱分析,并经伸缩振动模吸收带的积分计算,得出样品的含氢量为20—30％,光学带隙E。为1.80eV左右;暗电导率小于10^(-10)s/cm。倘若基体适当加温,a—Si:H膜的性能将更为优良。
- 万英超林玉瓶
- 关键词：微波等离子体CVD
- 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备
- 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备,其特征是硅烷和氨气的气相化学反应是在立式双温区流态反应器3中进行,该反应器流态床底部设有不锈钢制造的分配板31,载体填料32是粒度为0.1～0.5mm的硅晶体,床层外部设有主加热器3...
- 姚奎鸿周晓茹张焕林林玉瓶余京松沃银花
- 文献传递
- 直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛
- 直拉硅单晶的氮保护气氛属于半导体材料制造技术。在直拉(切氏法)硅单晶技术中，以氮气作为拉晶的保护气体。所用的氮气纯度为99.999％以上，进入硅单晶炉内氮气流量为2—50升/分，炉内氮气压力为0.5—60乇。;由于氮气来...
- 阙端麟李立本林玉瓶
- 文献传递
