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邹志宜

作品数:4 被引量:4H指数:2
供职机构:中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学文化科学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇离子注入
  • 2篇乙炔
  • 2篇聚乙炔
  • 1篇电性能
  • 1篇同位素分离
  • 1篇中子
  • 1篇中子发生器
  • 1篇稳定性
  • 1篇改性
  • 1篇材料改性
  • 1篇掺杂

机构

  • 4篇中国科学院
  • 2篇浙江大学

作者

  • 4篇邹志宜
  • 2篇沈之荃
  • 2篇林森浩
  • 2篇王玟珉
  • 2篇荣廷文
  • 2篇杨慕杰
  • 2篇朱新芳
  • 1篇盛康龙
  • 1篇赵小风
  • 1篇陈淼

传媒

  • 2篇核技术
  • 1篇中国科学(B...
  • 1篇核物理动态

年份

  • 1篇1993
  • 2篇1991
  • 1篇1980
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一个提高中子发生器靶寿命的简易方法
1980年
提高中子发生器靶的寿命一般采用各种形式的旋转靶。本文介绍一个借助于X、Y两组磁极,用位相差90°的交流电源激磁,在X、Y方向上产生50周交变磁场。用这种磁场扫描方法,使氘束在靶的活性区内做圆周运动,这样使束功率密度不致太集中,改善了靶的冷却,从而使钛氚靶在1010n/sec产额下的半寿命比原来提高了3~4倍。若配合旋转靶使用,将使靶的寿命进一步提高(对旋转靶束斑只需一个方向扫描即可)。
邹志宜赵小风黄建鸣
关键词:中子发生器
聚乙炔离子注入掺杂及电性能的研究被引量:2
1991年
本文用Ar^+,Fe^+,Cl^+,I^+,Na^+和K^+等离子束,在15—30keV能量范围内注入聚乙炔薄膜,剂量为1×10^(13)-3×10^(17)cm^(-2).借助红外光谱、卢瑟福背散射分析及四探针等测试方法,考察了离子注入诱导聚乙炔膜的化学结构及导电性能的变化,检测了化学掺杂与离子注入杂质的深度分布和p-n结的形成,并在此基础上探讨了离子束与聚合物相互作用过程的机理.
林森浩鲍锦荣荣廷文盛康龙邹志宜朱新芳王玟珉万洪和沈之荃杨慕杰
关键词:聚乙炔离子注入电性能掺杂
全文增补中
离子注入聚乙炔稳定性的研究被引量:2
1991年
本文介绍经化学法掺FeCl_3的聚乙炔膜注入30keV的K^+离子后形成一个p-n结,并研究了它的稳定性。同时还叙述了用两种不同方法制备的聚乙炔膜掺FeCl_3后经不同处理剂处理后结构和电导率的稳定性。
荣廷文林森浩朱新芳鲍锦荣万洪和王玟珉邹志宜杨慕杰沈之荃
关键词:离子注入聚乙炔稳定性
100keV同位素分离和离子注入装置及其应用
1993年
本文介绍了一台通用性低能离子束装置、主要性能、利用它开展的一些新的离子束应用及实验结果。
陈淼邹志宜黄建鸣叶伯年钱文国路钦雯
关键词:同位素分离离子注入材料改性
共1页<1>
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