王玟珉
- 作品数：25 被引量：37H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术电子电信一般工业技术更多>>
- 聚乙炔离子注入掺杂及电性能的研究被引量：2
- 1991年
- 本文用Ar^+,Fe^+,Cl^+,I^+,Na^+和K^+等离子束,在15—30keV能量范围内注入聚乙炔薄膜,剂量为1×10^(13)-3×10^(17)cm^(-2).借助红外光谱、卢瑟福背散射分析及四探针等测试方法,考察了离子注入诱导聚乙炔膜的化学结构及导电性能的变化,检测了化学掺杂与离子注入杂质的深度分布和p-n结的形成,并在此基础上探讨了离子束与聚合物相互作用过程的机理.
- 林森浩鲍锦荣荣廷文盛康龙邹志宜朱新芳王玟珉万洪和沈之荃杨慕杰
- 关键词：聚乙炔离子注入电性能掺杂
- 全文增补中
- 碳化钨表面氘的俘获和释放
- 1997年
- 王玟珉
- 关键词：俘获碳化钨
- 微束背散射分析元素微区分布的研究
- 1993年
- 微束背散射分析元素微区分布的分析方法使上海原子核研究所的质子微探针能在微区内综合使用质子激发X射线荧光和背散射等多种核效应,为样品由轻元素到重元素的全面无损、双微(微区、微量)分析提供了依据。应用该方法还测量了Si_3N_4/SiC复合陶瓷材料,证明了该分析方法的可靠性。
- 陆荣荣王玟珉朱节清乐安全
- 关键词：质子微探针
- 聚变反应堆壁材料钨和钼的表面离子束效应
- 本文系统地研究了不同能量、剂量的氘离子轰击不同靶温度的钨和钼,引起表面的损伤情况,特别是钨表面气泡的形成与氘的滞留量,为聚变堆壁材料的选择提供了依据.
- 王玟珉J.RothS.LindigC.H.Wu
- 关键词：离子轰击聚变堆材料
- 文献传递
- 不同致密度a-C:D薄膜材料的氧化及氢氘同位素交换
- 弹性反冲探测（ＥＲＤ）、质子弹性散射（ＰＥＳ）及红外谱仪，研究高密度和低密度两种ａ－Ｃ：Ｄ薄膜样品，在室温至８００Ｋ的温度范围内的稳定度。发现了两种薄膜材料在大气中氧化及氢氘同位素交换行为的区别，并讨论了反应机制。
- 王玟珉
- 关键词：同位素交换
- 离子注入聚乙炔稳定性的研究被引量：2
- 1991年
- 本文介绍经化学法掺FeCl_3的聚乙炔膜注入30keV的K^+离子后形成一个p-n结,并研究了它的稳定性。同时还叙述了用两种不同方法制备的聚乙炔膜掺FeCl_3后经不同处理剂处理后结构和电导率的稳定性。
- 荣廷文林森浩朱新芳鲍锦荣万洪和王玟珉邹志宜杨慕杰沈之荃
- 关键词：离子注入聚乙炔稳定性
- 离子轰击产生湍层氮化硼
- 2000年
- 用高分辨率透射电子显微镜检查了Ｎ＋２离子轰击后的氮化硼样品．发现在片状六方形氮化硼ｓｐ２层的弯折区，有０．３５ｍｍ晶面间距的湍层氮化硼形成．虽然其形成机制尚不清楚，但是基于束流－固体相互作用观点的讨论可能是了解湍层氮化硼结构生长过程的关键所在．
- 王震遐王玟珉阮美玲许浔江
- 关键词：离子轰击透射电子显微镜纳米材料
- Ar^+轰击石墨表面生成碳纳米管和碳纳米多面体被引量：6
- 1998年
- 报道了一种用６０ｋｅＶＡｒ＋轰击石墨生成碳纳米管和纳米碳壳层多面体颗粒的方法．高分辨透射电子显微镜研究指出，这些纳米多层结构物的尺寸约在２０ｎｍ到０４μｍ之间，碳原子层之间的距离为０３４ｎｍ．基于高分辨透射电子显微镜图像，建议了一个关于“组合碳多面体”的生长模型．
- 王震遐朱福英王玟珉许浔江阮美玲
- 关键词：石墨碳纳米管
- 高能离子注入及其应用被引量：1
- 1990年
- 本文介绍了高能离子（Ｍｅｖ／ａｍｕ）与固体相互作用的特点，综述了近几年来高能离子注入技术在制备多层结构晶体管、减少载流子寿命、材料表面改性及增强薄膜与基体粘着力等方面的研究概况．
- 林森浩王玟珉
- 关键词：离子注入
- 聚变反应堆壁材料钨和钼的表面离子束效应被引量：1
- 2003年
- 运用扫描电子显微镜(SEM)及氘的定量深度分布测量,系统地研究了在氘离子轰击下金属钨和钼的损伤情况, 特别是钨表面气泡的形成及机制,以及氘在表面层的滞留量与气泡形成机制之间的关系。D+能量为100—1000eV, 轰击注量为11019—11021cm-2。轰击过程中靶表面温度分别控制在室温、600℃和800℃。研究结果为聚变堆壁材料的选择提供了依据。
- 王玟珉Roth JLindig SWu CH
- 关键词：离子轰击表面气泡MO
