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范松华

作品数:16 被引量:70H指数:5
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学金属学及工艺一般工业技术核科学技术更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 6篇等离子体
  • 4篇改性
  • 3篇内表面
  • 3篇类金刚石
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化钛
  • 2篇等离子
  • 2篇等离子体源
  • 2篇电子等离子体
  • 2篇稳定性
  • 2篇离子注入
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇类金刚石薄膜
  • 2篇类金刚石膜
  • 2篇光谱
  • 2篇表面改性
  • 2篇常模
  • 1篇氮化钛薄膜
  • 1篇灯丝

机构

  • 16篇中国科学院
  • 3篇中国石油大学...
  • 2篇北京科技大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇北京化工大学
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇中央民族大学
  • 1篇技术公司

作者

  • 16篇范松华
  • 11篇杨思泽
  • 10篇张谷令
  • 8篇刘赤子
  • 6篇杨武保
  • 6篇王久丽
  • 5篇陈光良
  • 4篇冯文然
  • 3篇李银安
  • 3篇牛二武
  • 3篇顾伟超
  • 2篇李立
  • 2篇刘元富
  • 1篇刘悦
  • 1篇沈曾民
  • 1篇吴杏芳
  • 1篇吕国华
  • 1篇韩建民
  • 1篇马培宁
  • 1篇刘斌

传媒

  • 7篇物理学报
  • 2篇物理
  • 2篇核聚变与等离...
  • 1篇自然科学进展
  • 1篇科学技术与工...

年份

  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
脉冲高能量密度等离子体法类金刚石膜的制备及分析被引量:17
2003年
利用脉冲高能量密度等离子体法在光学玻璃衬底上、在室温下成功的制备了光滑、致密、均匀的纳米类金刚石膜 .工艺研究表明 :放电电压和放电距离以及工作气体种类对纳米类金刚石膜的沉积起着关键作用 .利用拉曼光谱、扫描电镜以及电子能量损失谱分析薄膜的形态结构表明 :薄膜具有典型的类金刚石特征 ;纳米类金刚石膜的晶粒尺寸小于 2 0nm甚至为非晶态 ;类金刚石膜中含有一定量的氮原子 ,随着沉积能量的升高 ,氮的含量增大 .纳米类金刚石膜的薄膜电阻超过 10 9Ω cm2 .对放电溅射过程进行了理论分析 ,结果与工艺研究的结论吻合 .
杨武保范松华刘赤子张谷令王久丽杨思泽
关键词:类金刚石膜拉曼光谱扫描电镜
弱相对论电子等离子体的宏观非寻常模稳定性
1994年
本文利用宏观冷流体模型及麦克斯韦方程研究了磁约束在圆柱形导体容器内的弱相对论电子等离子体的宏观非寻常模稳定性,导出了槽纹扰动下(k2=0)的普遍本征方程,分析中包含平衡自洽场。在低频扰动情形下,简化了本征方程,并仔细研究了电子等离子体在矩形分布下的稳定性质。
范松华李银安
关键词:电子等离子体稳定性
高能等离子体辅助CVD法新型纳米碳膜的制备及分析被引量:6
2006年
利用自制高能等离子体辅助化学气相沉积设备在1Cr18Ni9Ti衬底上,在离子能量2keV、工作压力2Pa、工作气氛为CH4/H2=10%的工艺条件下得到了一种硬度高、导电性能良好、可能具有碳链结构的新型碳膜.工艺研究结果表明,衬底材料对制备该新型纳米碳膜具有关键作用,离子能量、工作压力及气氛等工艺因素也具有重要作用.原子力显微镜分析结果表明,该薄膜晶粒尺寸小于100nm,薄膜光滑、致密、均匀.拉曼光谱分析显示,该薄膜的拉曼光谱特征为中心峰在1580cm-1附近、显著宽化的单一峰.欧姆计测量表明该薄膜的薄膜电阻为1·6×104Ω/cm2.利用纳米力学探针测得该纳米碳膜的显微硬度为21·38GPa,体弹性模量为420·65GPa.
杨武保范松华戈敏张谷令沈曾民杨思泽
关键词:CVD法衬底材料
等离子体方法实现金属管件内表面改性研究进展被引量:2
2006年
综述了近年来国内外利用等离子体方法实现金属管件内表面强化的研究进展.介绍了几种管件内表面等离子体源离子注入和沉积技术,并对其优缺点分别加以分析.详细介绍了中国科学院物理研究所等离子体物理实验室先后提出的几种等离子体源离子注入方法用于金属管件内表面改性的原理、技术特点及最新研究进展.力图展望管件内壁离子注入技术研究的发展前景.
张谷令吴杏芳顾伟超陈光良冯文然牛二武李立吕国华陈皖范松华刘赤子杨思泽
关键词:等离子体源离子注入内表面表面改性
具有大区域均匀场强的磁体
1990年
我们研制了螺旋管磁体,在磁体两端附加了补偿线圈.该磁体的轴向磁场均匀区拓宽到磁体总长度的80%,场强测量值与计算值很好符合.
李银安李世恕张晔范松华
关键词:磁体螺旋管磁场
纯电子等离子体的宏观非寻常模稳定性被引量:1
1992年
本文利用冷流体模型及麦克斯韦方程研究了磁约束在圆柱形导体容器内的纯电子等离子体的宏观非寻常模稳定性,导出了电磁性槽纹扰动(k_Z=0)下的普遍本征方程。数值研究了电子密度为矩形分布和钟形分布下等离子体的稳定性。
范松华李银安刘悦
关键词:等离子体稳定性
脉冲高能量密度等离子体材料表面改性及其应用被引量:5
2005年
脉冲高能量密度等离子体(pu lsed h igh energy density p lasm a,PHEDP)是一项新的材料表面改性技术.它集高电子温度、高能量密度、高定向速度于一身,在制备薄膜时具有沉积薄膜的温度低、沉积效率高、能量利用率高的优点,并兼具表面溅射、离子注入、冲击波和强淬火效应等综合效应;它可以制备纳米晶或非晶硬质薄膜,提高基底材料的表面硬度和耐磨、耐蚀性能;能够实现非金属材料表面金属化,所制备薄膜与基底之间存在很宽的混合过渡区,因此膜/基结合良好.文章主要介绍了作者近年来在该领域的部分研究成果,简要介绍了脉冲高能量密度等离子体的原理、特点及应用.分析了脉冲等离子体与材料相互作用的基本物理现象.
冯文然陈光良顾伟超张谷令范松华刘赤子杨思泽
关键词:等离子体表面改性
非平衡磁控溅射法类金刚石薄膜的制备及分析被引量:13
2005年
利用非平衡磁控溅射物理气相沉积技术制备了光滑、致密、均匀的类金刚石薄膜.分析沉积工艺参数对所得类金刚石薄膜的电学特性的影响以及溅射粒子的大小、能量、碰撞及沉积过程中的相变机理后认为溅射粒子越小、与环境气体分子的碰撞次数越多、与衬底相互作用时具有适当动量等,能够有效提高薄膜中sp3杂化碳原子的含量.利用拉曼光谱、纳米力学探针、红外光谱、扫描电镜等分析了所得类金刚石膜的结构、力学及光学性能、表面形貌等特征.结果表明,类金刚石膜中sp3杂化碳原子的含量较高,显微硬度大于11GPa,薄膜光学透过率达到89·4%,折射系数为1·952,沉积速率为0·724μm/h,表面光滑、致密、均匀,不存在明显的晶粒特征.
杨武保范松华张谷令马培宁张守忠杜健
关键词:非平衡磁控溅射类金刚石膜类金刚石薄膜磁控溅射法表面光滑
金属管件内壁栅极增强等离子体源离子注入的轴向特性研究被引量:4
2007年
栅极增强等离子体源离子注入(GEPSII)一种新的金属管件内壁处理方法,该方法能够均匀地对金属管件内壁进行离子注入,并且能够生成二元金属化合物.在金属管件内轴向放置三块45号钢样品,利用GEPSII方法在金属管件内壁成功生长金黄色氮化钛(TiN)薄膜.结构分析显示TiN主要沿(111)和(200)晶面生长,深度分析显示膜的厚度大约二十几纳米,膜质地均匀且在基底有一定的嵌入深度.电化学腐蚀、硬度、磨擦学分析表明TiN薄膜很好地改善了45号钢的表面性能,并且表现出很高的轴向均匀性.
张谷令王久丽陈光良冯文然顾伟超牛二武范松华刘赤子杨思泽
关键词:内表面氮化钛
脉冲高能量密度等离子体沉积(Ti,Al)N薄膜组织及其性能研究被引量:4
2005年
利用脉冲高能量密度等离子体技术在室温条件下在 4 5 #钢基材表面沉积了高硬度耐腐蚀 (Ti,Al)N薄膜 .利用扫描电子显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、俄歇电子能谱分析了薄膜的显微组织 .利用纳米压痕仪测试了薄膜的纳米硬度 .测试了薄膜在 0 5mol LH2 SO4 水溶液中的耐蚀性 .测试结果表明 :薄膜主要组成相为 (Ti,Al)N ,同时含有少量的AlN ,薄膜的纳米硬度高达 2 6GPa ,薄膜具有良好的耐蚀性 ,与 1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢相比 ,耐蚀性提高了一个数量级 .
刘元富韩建民张谷令王久丽陈光良李雪明冯文然范松华刘赤子杨思泽
关键词:(TI,AL)N耐蚀性1CR18NI9TI奥氏体不锈钢俄歇电子能谱室温条件
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