王淑艳
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅省级重点实验室科研与建设计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InSb晶体表面碟形坑缺陷被引量：2
- 2006年
- 文章用金相显微镜观察、统计了InSb晶片扩散前、后,经择优腐蚀后呈碟形坑的表面微缺陷。结果显示这类缺陷的一部分是InSb晶体原生缺陷,一部分由扩散诱生。分析后认为由扩散诱生这类缺陷的原因主要为晶片表面粘污,已证实清洗更洁净的晶片,能有效抑制扩散过程中诱生的这类缺陷。
- 杜红燕王淑艳张钢刘理天
- 关键词：INSB扩散
- 锑化铟焦平面器件背面减薄后的表面处理方法研究被引量：4
- 2020年
- 经传统的背面减薄工艺处理后,锑化铟焦平面器件的表面上经常会有细微划道;采用传统的表面清洗方式时也容易对器件表面造成划道,导致工艺重复性差。因此,当器件经过背面减薄后,利用腐蚀液去除划道,并采用基于石油醚和无水乙醇的非接触式清洗方法,有效降低了器件表面产生划道的几率,同时避免了由于表面腐蚀速率不均匀导致测试时部分区域电平较高、在测试图像上出现亮斑等情况;另外还提高了工艺的重复性,使锑化铟器件的红外成像均匀且没有划道,从而提高了该器件的成品率。
- 肖钰李家发王淑艳曹凌霞李海燕
- 关键词：锑化铟表面处理
