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李光耀

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:长春理工大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇列阵
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  • 1篇异质结
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  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇INGAAS...

机构

  • 2篇长春理工大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 2篇李光耀
  • 1篇叶文
  • 1篇杨琏
  • 1篇杨晓妍
  • 1篇朱明方
  • 1篇王兴权
  • 1篇刘杰

传媒

  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
半导体功率放大激光器及列阵的研究
2004年
研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器 (LD—SLA)及列阵。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器 (LD)与功率放大器(SLA)集成一体。输出功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜 ,使反射率和透射率由无膜时的 31%、 6 9%提高到 94 %以上。提高激光输出 ,保护器件端面。
杨晓妍杨琏朱明方刘杰叶文李光耀王兴权
关键词:高反射膜谐振腔半导体激光器功率放大器
InGaAsP/InP半导体功率放大激光器及列阵的研究
本文从半导体物理、激光理论、光放大理论出发,研究一个高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA),具体方案是采用分子束外延法在InP衬底上生长InGaAsP/InP的增益导引氧化物条型LD外延片,对该外延片进行光刻和化学试...
李光耀
关键词:双异质结激光器列阵分子束外延法
文献传递
共1页<1>
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