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李光耀
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长春理工大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘杰
长春理工大学
王兴权
长春理工大学
朱明方
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杨晓妍
长春理工大学
杨琏
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半导体功率放大激光器及列阵的研究
2004年
研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器 (LD—SLA)及列阵。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器 (LD)与功率放大器(SLA)集成一体。输出功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜 ,使反射率和透射率由无膜时的 31%、 6 9%提高到 94 %以上。提高激光输出 ,保护器件端面。
杨晓妍
杨琏
朱明方
刘杰
叶文
李光耀
王兴权
关键词:
高反射膜
谐振腔
半导体激光器
功率放大器
InGaAsP/InP半导体功率放大激光器及列阵的研究
本文从半导体物理、激光理论、光放大理论出发,研究一个高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA),具体方案是采用分子束外延法在InP衬底上生长InGaAsP/InP的增益导引氧化物条型LD外延片,对该外延片进行光刻和化学试...
李光耀
关键词:
双异质结激光器
列阵
分子束外延法
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