朱炎
- 作品数：10 被引量：45H指数：4
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）物理学系更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 梯度磁场中薄膜厚度梯度的形成机理被引量：1
- 2002年
- 借助于基片下方放置的磁铁 ,在溅射的放电空间中引入了纵向的梯度磁场 .辉光放电时 ,其外貌发生了显著的收缩 ,由此沉积的薄膜在平面内存在明显的厚度梯度 .
- 朱炎狄国庆陈亚杰赵登涛
- 关键词：磁控溅射辉光放电动量转移
- 外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响被引量：18
- 2003年
- 通过在基片上直接放置一块永久磁铁来研究外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响。实验发现 ,外加磁场的引入改变了靶表面附近的磁场分布 ,因而靶的刻蚀环的位置、宽度和深度均发生了明显的变化 ,靶的利用率在S S构型和S N构型中均比无外加磁场时要高。利用空间模拟磁场成功的解释这一实验现象。在S S构型和S N构型中 ,后者靶的刻蚀深度轮廓线比较平坦 ,相对刻蚀深度值更大 。
- 赵新民狄国庆朱炎
- 关键词：磁控溅射靶利用率外加磁场磁控溅射等离子体模拟磁场
- 反应溅射制备非晶Al_2O_3薄膜的介电特性被引量：8
- 2000年
- 在氧气、氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在 1 0 0到 1 0纳米的非晶氧化铝薄膜。通过 Al-Al2 O3 -Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。
- 赵登涛狄国庆朱炎
- 关键词：介电性质非晶氧化铝薄膜
- 外加磁场对磁控溅射过程及薄膜物性的影响被引量：4
- 2001年
- 通过在放电空间中引入垂直基片方向有梯度的磁场,使得利用普通的平面磁控溅射技术可以方便地制备磁性薄膜。与此同时,磁性薄膜的许多物理性能发生了变化。这种变化还出现于非磁性靶的情况中。本工作对有、无磁场时溅射的过程与结果作了比较,包括自偏压值,薄膜结晶状况,薄膜磁性能的变化等等。通过比较认为,带电粒子在放电空间中的特殊磁场位形中的运动是变化的根本原因。
- 朱炎狄国庆赵登涛
- 关键词：磁场磁控溅射物理性能
- 基片表面的磁场对磁控溅射法制备Fe-N薄膜特性的影响被引量：1
- 2001年
- 利用反应磁控溅射方法制备了Fe N薄膜。发现未退火的薄膜基本处于非晶或微晶状态 ,退火或在沉积时对基片施加一磁场 ,可使晶粒变大 ,并出现对应内部存在应力的γ′ Fe4N的 (110 )晶面的择优取向。特别是外加的磁场使得Fe N薄膜具有明显改善的磁性能。
- 朱炎狄国庆陈亚杰赵登涛杨海峰
- 关键词：磁场磁性能
- 梯度磁场中薄膜厚度梯度被引量：2
- 2002年
- 通过在基片的下方放置磁铁 ,在放电空间中引入了纵向的磁场梯度。在这种情况下 ,辉光外貌发生显著收缩。同时 ,沉积的薄膜在平面内存在明显的厚度梯度。利用磁场中带电粒子的运动理论解释了此种薄膜的形成机制。
- 朱炎狄国庆陈亚杰赵登涛
- 关键词：磁控溅射辉光
- 反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗被引量：8
- 2000年
- 在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz。
- 赵登涛朱炎狄国庆
- 关键词：介电损耗氧化铝薄膜
- 外加磁场对平面磁控溅射的影响
- 通过在基片下入置磁铁在放电空间中引入垂直基片方向的磁场,磁性靶的溅射变得更加容易.与此同时,沉积薄膜的一些物理性能发生了变化,并且发现这种效果也同样出现在溅射非磁性靶的情况.实验中观察到,在外加磁场的作用下,等离子体放电...
- 朱炎
- 关键词：磁控溅射
- 文献传递
- 反应溅射制备的a-Al_2O_3薄膜中的时效过程被引量：1
- 2001年
- 用反应溅射方法制备了非晶氧化铝薄膜；以 Ａｌ／ａ－Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ电容器为载体，研究了此种电容器的电容量，随样品放置时间的衰减过程及其影响因素，结论如下：（１）同一样品，高频下测得的电容随样品放置时间而变小的趋势相对于低频值要缓慢。（２）其它条件相同时，低的工作气压下形成的样品，其电容量不易随时间而改变。（３）真空中的低温热处理有助于改善时效过程。（４）时效的机制可能是样品中亚稳态的缺陷逐渐消失。这些缺陷跟缺氧和吸水没有必然联系，也不太可能是Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ的界面缺陷；它们的消失跟电老化也无必然联系。机制之一可能是氧过量引起的铝离子过配位的逐渐消失。
- 赵登涛朱炎狄国庆
- 关键词：非晶氧化铝薄膜电容时效过程反应溅射
- 非晶氧化铝超薄膜中的电荷输运特性被引量：2
- 2001年
- 研究了反应射频磁控溅射制备的非晶氧化铝薄膜中电荷输运过程，发现交流和直流电导导电机制是明显不同的．对直流输运，以 Ｐｏｏｌｅ—Ｆｒｅｎｋｅｌ发射模式为主，而新样品的立流电导则常常是带陷阱的空间电荷限制电流模式。交流电导则是由所谓的声子辅助的定域载流子的跳跃引起的。电导的温度特性表明，交流电导有两种不同的导电机制，即低温区的浅陷阱发射和高温区的因氧缺陷导致的深陷阱的发射过程，直流电导与交流电导在高温区趋于一致。
- 朱炎赵登涛狄国庆方亮
- 关键词：激活能电荷输运
