您的位置： 专家智库 > >

曹慧梅

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇磷化铟
  • 2篇孪晶
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 1篇单晶生长
  • 1篇晶向
  • 1篇固液
  • 1篇固液界面

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇赵有文
  • 2篇焦景华
  • 2篇杨子祥
  • 2篇曹慧梅
  • 2篇赵建群
  • 2篇孙文荣
  • 2篇段满龙
  • 2篇吕旭如
  • 1篇李晋闽
  • 1篇林兰英
  • 1篇曾一平
  • 1篇董志远

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究被引量：8
2003年
通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。测试结果表明我们生长(100)磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面,可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。
赵有文段满龙孙文荣杨子祥焦景华赵建群曹慧梅吕旭如
关键词：磷化铟单晶孪晶固液界面半导体材料
(100)磷化铟单晶生长及其性质的研究
通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(100)磷化铟单晶.在此条件下生长的(100)磷化铟单晶具有低的位错密度和优异的电学均匀性....
赵有文段满龙孙文荣杨子祥焦景华赵建群董志远曹慧梅吕旭如曾一平李晋闽林兰英
关键词：单晶生长孪晶半导体材料
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0