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张飞飞

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 14篇存储器
  • 12篇电路
  • 10篇半导体
  • 7篇集成电路
  • 7篇半导体集成
  • 7篇半导体集成电...
  • 6篇数据存储
  • 6篇衬底
  • 5篇电阻
  • 5篇信号
  • 5篇氧化物
  • 4篇电压
  • 4篇料层
  • 4篇脉冲电压
  • 4篇晶体管
  • 4篇隔离层
  • 4篇存储阵列
  • 3篇电极
  • 3篇数据采样
  • 3篇数字信号

机构

  • 30篇北京大学

作者

  • 30篇陈冰
  • 30篇张飞飞
  • 30篇刘力锋
  • 30篇康晋锋
  • 25篇高滨
  • 16篇陈沅沙
  • 10篇韩汝琦
  • 8篇于迪
  • 5篇刘睿
  • 2篇李悦
  • 2篇王漪
  • 2篇韩德栋
  • 2篇李博洋
  • 2篇张兴
  • 1篇黄鹏
  • 1篇傅亦晗
  • 1篇马龙
  • 1篇吕阳

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 6篇2014
  • 6篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双极阻变存储器件
本申请公开了一种双极阻变存储器件，包括阻变元件，包括阻变材料层和与阻变材料层接触的至少一个电极，以及反向二极管，包括相反导电类型的两个掺杂区，在两个掺杂区之间的界面上形成pn结，其中，反向二极管与阻变元件串联连接。该双极...
康晋锋张飞飞高滨黄鹏陈冰于迪马龙后羿刘力锋刘晓彦
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阻变存储器及其操作方法和制造方法
提供了一种阻变存储器，包括存储阵列，所述存储阵列包括：衬底；衬底隔离层，设置在衬底上；多个叠层结构，设置在衬底隔离层上；多个梳状金属层，沿所述叠层结构的长度方向设置在衬底隔离层和所述多个叠层结构上，每个梳状金属层的梳齿夹...
康晋锋张飞飞高滨陈冰刘力锋刘晓彦
文献传递
一种氧化物电阻存储器件及其制备方法
本发明公开了一种氧化物电阻存储器件，包括衬底，位于所述衬底上的底电极，位于所述底电极上的氧化物控制层，位于所述氧化物控制层上的氧化物阻变层，以及位于所述氧化物阻变层上的顶电极。该器件制备工艺简单、性能可靠，提高了氧化物阻...
刘力锋高滨陈冰张飞飞李博洋于迪陈沅沙康晋锋韩汝琦
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一种能够实现多进制加法计算的阻变器件及多进制加法计算的方法
一种能够实现多进制加法计算的阻变器件，以及利用阻变器件实现多进制加法计算的方法，所述阻变器件具有从高阻态到低阻态的多个阻值，每个阻值对应于一存储值，通过连续施加具有相同宽度和高度的set脉冲电压使阻变器件的存储值顺序加1...
康晋锋张飞飞高滨陈冰陈沅沙刘力锋刘晓彦韩汝琦
文献传递
多阻态阻变存储器及利用其实现多阻态的方法
本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种多阻态阻变存储器，自上而下包括：顶电极、阻变层和底电极，其中所述阻变层为氧化物。本发明还提供了一种利用上述存储器实现多阻态的方法。本发明多阻态阻变存储器是一种基于SiO<Sub>2...
刘力锋于迪高滨陈冰张飞飞康晋锋
文献传递
阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法。该结构包括：衬底，衬底上的衬底隔离层，衬底隔离层上方间隔排列的由金属层和隔离层重复叠加组成的条形结构，垂直于衬底隔离层和条形结构的间隔排列的金属柱，所述金属柱与衬底隔离...
康晋锋张飞飞高滨陈冰刘睿刘力锋刘晓彦
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利用阻变器件进行除法计算的方法
本发明涉及微电子技术领域，公开一种利用阻变器件进行除法计算的方法，包括步骤：设定进位标准为除数a，待施加在余数阻变器件上的脉冲个数为被除数b；将商阻变器件转变为高阻态；将余数阻变器件转变为高阻态；在余数阻变器件上施加a个...
康晋锋陈冰高滨张飞飞陈沅沙刘力锋刘晓彦
存储阵列及其操作方法和制造方法
公开了存储阵列及其操作方法和制造方法。一示例存储阵列可以包括：成行列设置以形成阵列的多个基于第一纳米线的选择晶体管；以及在选择晶体管阵列上堆叠的多个存储单元层，每一存储单元层包括与选择晶体管阵列相对应的阻变器件的阵列。阻...
高滨康晋锋陈冰张飞飞刘力锋刘晓彦
文献传递
利用阻变器件实现积分运算方法
本发明公开了一种利用阻变器件实现积分运算方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述方法包括：S1：对待输入信号进行时间采样；S2：对阻变器件进行复位操作；S3：将时间采样后的待输入信号输入所述阻变器件的阳电极；S4：...
康晋锋陈冰高滨张飞飞陈沅沙刘力锋刘晓彦
单极阻变存储器及其制造方法
一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成...
康晋锋张飞飞陈沅沙陈冰高滨刘力锋刘晓彦韩汝琦
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