2024年11月27日
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陈冰
作品数:
67
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H指数:3
供职机构:
北京大学
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发文基金:
“九五”国家科技攻关计划
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相关领域:
自动化与计算机技术
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合作作者
康晋锋
北京大学
刘力锋
北京大学
高滨
北京大学
张飞飞
北京大学
陈沅沙
北京大学
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陈冰
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一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法
本发明提供信息存储技术领域中的一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法。本发明包括逻辑电路,用于实现设定的逻辑功能;信号输入电路,和所述逻辑电路连接,为所述逻辑电路提供信号;信号输出电路,用于输出所述逻...
刘力锋
王逸然
陈冰
王琰
韩德栋
王漪
刘晓彦
康晋锋
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用于人工神经网络的突触器件和人工神经网络
本发明提供了一种用于人工神经网络的突触器件,所述人工神经网络包括多个神经元,所述多个神经元之间通过突触器件阵列相互连接,所述突触器件阵列包括多个突触器件,所述突触器件包括:两个、三个或更多个并联连接的突触单元。本发明还提...
康晋锋
毕颖杰
龙云
高滨
陈冰
刘晓彦
文献传递
阻变存储器及其操作方法和制造方法
提供了一种阻变存储器,包括存储阵列,所述存储阵列包括:衬底;衬底隔离层,设置在衬底上;多个叠层结构,设置在衬底隔离层上;多个梳状金属层,沿所述叠层结构的长度方向设置在衬底隔离层和所述多个叠层结构上,每个梳状金属层的梳齿夹...
康晋锋
张飞飞
高滨
陈冰
刘力锋
刘晓彦
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多阻态阻变存储器及利用其实现多阻态的方法
本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种多阻态阻变存储器,自上而下包括:顶电极、阻变层和底电极,其中所述阻变层为氧化物。本发明还提供了一种利用上述存储器实现多阻态的方法。本发明多阻态阻变存储器是一种基于SiO<Sub>2...
刘力锋
于迪
高滨
陈冰
张飞飞
康晋锋
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阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法。该结构包括:衬底,衬底上的衬底隔离层,衬底隔离层上方间隔排列的由金属层和隔离层重复叠加组成的条形结构,垂直于衬底隔离层和条形结构的间隔排列的金属柱,所述金属柱与衬底隔离...
康晋锋
张飞飞
高滨
陈冰
刘睿
刘力锋
刘晓彦
文献传递
利用阻变器件进行除法计算的方法
本发明涉及微电子技术领域,公开一种利用阻变器件进行除法计算的方法,包括步骤:设定进位标准为除数a,待施加在余数阻变器件上的脉冲个数为被除数b;将商阻变器件转变为高阻态;将余数阻变器件转变为高阻态;在余数阻变器件上施加a个...
康晋锋
陈冰
高滨
张飞飞
陈沅沙
刘力锋
刘晓彦
存储阵列及其操作方法和制造方法
公开了存储阵列及其操作方法和制造方法。一示例存储阵列可以包括:成行列设置以形成阵列的多个基于第一纳米线的选择晶体管;以及在选择晶体管阵列上堆叠的多个存储单元层,每一存储单元层包括与选择晶体管阵列相对应的阻变器件的阵列。阻...
高滨
康晋锋
陈冰
张飞飞
刘力锋
刘晓彦
文献传递
利用阻变器件实现积分运算方法
本发明公开了一种利用阻变器件实现积分运算方法,涉及半导体集成电路及其制造技术领域,所述方法包括:S1:对待输入信号进行时间采样;S2:对阻变器件进行复位操作;S3:将时间采样后的待输入信号输入所述阻变器件的阳电极;S4:...
康晋锋
陈冰
高滨
张飞飞
陈沅沙
刘力锋
刘晓彦
单极阻变存储器及其制造方法
一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底;位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极;由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极;位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层,其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成...
康晋锋
张飞飞
陈沅沙
陈冰
高滨
刘力锋
刘晓彦
韩汝琦
一种基于阻变器件的加法器电路
本发明涉及半导体集成电路技术领域,公开了一种基于阻变器件的加法器电路。本发明利用具有多个阻态的阻变器件来构建加法器电路,减少了由进位信号产生的额外电路,减少电路实现面积和延时,降低电路成本;此外,经过简单的电路改动即可同...
刘力锋
于迪
陈冰
高滨
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