张丽敏
- 作品数：5 被引量：20H指数：1
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学经济管理更多>>
- A1N电子结构与属性的第一性原理研究
- AlN基半导体在蓝光、紫外光发射及探测器件、高温大功率光电器件、显示器件、声表面波器件、光电子器件等方面显示出了广阔的应用前景，使其成为光电研究领域又一热门研究课题。由于技术限制，目前还没有直接利用AlN作为活性材料的器...
- 张丽敏
- 关键词：电子结构密度泛函
- 文献传递
- AlN薄膜材料性质及器件的研究进展
- AlN具有优异介电性、压电性,是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了AlN薄膜材料的特性、薄膜制备、器件应用与最新进展。
- 张丽敏范广涵陈琨丁少锋
- 关键词：宽禁带半导体电子元器件
- 文献传递
- Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算被引量：20
- 2007年
- 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂.
- 张丽敏范广涵丁少锋
- 关键词：ALNP型掺杂电子结构密度泛函理论第一性原理
- ZnO薄膜p型掺杂的研究进展
- ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是P型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺...
- 陈琨范广涵丁少锋张丽敏
- 关键词：氧化锌薄膜P型掺杂
- 文献传递
- 我国房地产税收对房价影响分析
- 房地产产业在我国国民经济中占据着越来越重要的位置，它是否持续健康发展关系着我国经济的稳定和发展。随着城市化进程加快，住房需求大幅增加，导致了房地产市场出现供不应求的局面。房价越来越高，如何更好的运用税收政策调控稳定房地产...
- 张丽敏
- 关键词：房地产价格税收政策资产定价理论效用函数
