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宿晓慧

作品数：69 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 19篇自动化与计算...
  • 9篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 36篇电路
  • 20篇单粒子
  • 20篇脉冲
  • 19篇SRAM
  • 18篇单粒子瞬态脉...
  • 18篇瞬态
  • 17篇脉冲宽度
  • 15篇脉冲宽度测量
  • 14篇信号
  • 12篇输入端
  • 12篇反相器
  • 12篇测量电路
  • 9篇输出端
  • 7篇输入信号
  • 7篇产生电路
  • 7篇存储器
  • 6篇导电
  • 6篇导电材料
  • 6篇电路设计
  • 6篇电脉冲

机构

  • 69篇中国科学院微...
  • 2篇中北大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 69篇宿晓慧
  • 54篇韩郑生
  • 52篇罗家俊
  • 32篇李博
  • 28篇郝乐
  • 20篇刘海南
  • 17篇李欣欣
  • 16篇毕津顺
  • 14篇卜建辉
  • 11篇赵发展
  • 11篇王磊
  • 6篇李多力
  • 2篇郑中山
  • 2篇赵海涛
  • 2篇滕瑞
  • 1篇李博
  • 1篇刘刚
  • 1篇高见头
  • 1篇孙宇

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2023
  • 11篇2022
  • 16篇2021
  • 2篇2020
  • 7篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2017
  • 4篇2016
  • 6篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
共 69 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器，输入端连接输入信号，输出信号连接第一传输门数据输入端；第二缓冲器，输入端连接输入信号，输出信号连接第二传输门数据输入端；第一传输门的数据输出信号，连接第二传...
宿晓慧毕津顺罗家俊韩郑生郝乐
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一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器
本发明公开一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器，属于半导体领域。以解决由于主从结构的引入增加了较多的晶体管和增加了较多的控制信号，会增大芯片面积，增加功耗的技术问题。包括存储元，存储元包括：第一反相器以及第二反相器...
宿晓慧苏泽鑫李博王磊朱慧平罗家俊韩郑生
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单粒子脉冲宽度测量电路
本发明公开了一种单粒子脉冲宽度测量电路。该电路包括单粒子脉冲信号产生电路及至少一级测量电路；单粒子脉冲信号产生电路产生待测单粒子脉冲信号；由待测单粒子脉冲信号直接驱动的双稳态电路构成测量电路的第一级；从测量电路的第二级开...
宿晓慧毕津顺
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抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器(101)，输入端接输入信号，输出第一缓冲信号(out1)，用于消除“低高低”型脉冲；第二缓冲器(102)，输入端接输入信号，输出第二缓冲信号(out2)，用...
宿晓慧毕津顺罗家俊韩郑生郝乐
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集成电路测试方法
本发明提供了一种集成电路测试方法，包括设计指标参数确定、电路图输入、前仿真、版图设计、版图验证&寄生参数提取、后仿真、流片，其特征在于，前仿真和后仿真使用晶体管级SPICE网表，该晶体管级SPICE网表能转换为自...
郝乐宿晓慧韩郑生罗家俊
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抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器，输入端连接输入信号，输出信号连接第一传输门数据输入端；第二缓冲器，输入端连接输入信号，输出信号连接第二传输门数据输入端；第一传输门的数据输出信号，连接第二传...
宿晓慧毕津顺罗家俊韩郑生郝乐
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单粒子瞬态脉冲宽度测量电路
本发明公开了一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路，包括：控制信号产生电路(101)及至少一级延时比较电路(102)；所述控制信号产生电路(101)具有单粒子脉冲接收端、脉冲开始信号输出端和脉冲结束信号输出端；每级所述延时比较电...
宿晓慧罗家俊韩郑生刘海南郝乐李欣欣
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一种SRAM灵敏放大器电路设计
本发明提供了一种改进型的交叉耦合型灵敏放大器电路，该电路包括以下结构：两个PMOS管100,101，五个NMOS管102,103,104,105和106。其中100和101的源端和衬底接电源，100栅端接输出信号DB，漏...
宿晓慧罗家俊韩郑生刘海南郝乐李欣欣
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一种SRAM-PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SRAM‑PUF单元结构、存储器以及上电模式的控制方法，该SRAM‑PUF单元结构包括：控制电路、反馈电路以及控制电路与反馈电路之间的开关电路，在控制电路的输入端输入第一控制信号，且...
李博苏泽鑫宿晓慧任洪宇卜建辉赵发展
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一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法
本发明公开一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法，属于半导体领域。以使SRAM存储单元中的存储数据在两个节点之间不断交换，均衡老化问题，消除阈值失配。SRAM存储单元包括主电路和从属电路。主电路包括交叉耦合...
李博苏泽鑫宿晓慧刘凡宇黄杨罗家俊韩郑生
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