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孟军霞

作品数:11 被引量:39H指数:3
供职机构:西北师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金甘肃省高分子材料重点实验室基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 7篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 5篇光学
  • 5篇光学特性
  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇AZO薄膜
  • 2篇电池
  • 2篇电池正极
  • 2篇电池正极材料
  • 2篇电化学
  • 2篇正极
  • 2篇正极材料
  • 2篇退火
  • 2篇退火时间
  • 2篇锂离子
  • 2篇锂离子电池
  • 2篇锂离子电池正...
  • 2篇离子
  • 2篇离子电池
  • 2篇结构和光学特...

机构

  • 6篇西北师范大学
  • 5篇新疆工程学院
  • 2篇哈尔滨工业大...

作者

  • 11篇孟军霞
  • 5篇马书懿
  • 4篇贾迎飞
  • 4篇陈海霞
  • 4篇侯丽莉
  • 4篇马全新
  • 4篇陶亚明
  • 4篇尚小荣
  • 2篇杨智勇
  • 2篇杨磊
  • 1篇徐小丽
  • 1篇陈彦
  • 1篇王涛
  • 1篇张国恒
  • 1篇李文亮
  • 1篇彭敏
  • 1篇尚志勇
  • 1篇谢宁
  • 1篇王超
  • 1篇王晓萍

传媒

  • 3篇功能材料
  • 2篇材料导报(纳...
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 4篇2010
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于单根酞菁铜纳米线的FET式H_2S气体传感器被引量:2
2015年
结合FET和一维微纳材料的优势,构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现,在室温条件下,器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H2S具有良好的灵敏度和低检测极限(5×10–6)。相比于薄膜FET传感器,检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示:引起器件对H2S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。
塔力哈尔.夏依木拉提尚志勇李文亮彭敏孟军霞谢宁
关键词:H2SOFET气体传感器纳米线酞菁铜
锂离子电池正极材料Li_(1.12)Ni_(0.8)Mn_(0.1)Co_(0.1)O_2的制备及电化学性能研究被引量:1
2014年
采用高温固相法制备样品Lic12Ni0.8Mn0.1Co0.1O2,采用XRD (X-ray diffraction)、SEM(Scanning electron microscope)、CV (Cycle voltammograms)和充放电循环等测试分析了材料的物理化学性质及电化学性能.RD分析表明在合成温度为800℃时,所合成的产物为α-NaFeO2型的层状结构;SEM分析表明在合成温度为800℃时,产物为微小晶粒团聚成的球形颗粒.在40 mA/g和2.5~4.3V的电压范围内,其首次放电比容量为184.1 mAh/g,首次放电效率为85.9%.随着充放电次数的增多,材料的不可逆放电容量逐步减小,循环稳定性增强.循环20周后放电比容量仍能达到171.7 mAh/g,容量保持率为93.260%.测试结果表明,800℃合成的正极材料Li1.12Ni0.8Mn0.1Co0.1O2具有较高的放电比容量和优异的电化学稳定性.
孟军霞杨智勇杨磊马全新
关键词:锂离子电池高温固相法
锂离子电池正极材料LiNi_(0.5)Co_(0.2)Mn_(0.3)O_2的制备及电化学性能被引量:23
2013年
采用液相共沉淀法和固相烧结法分别制备镍钴锰复合氢氧化物(Ni0.5Co0.2Mn0.3(OH)2)和LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2正极材料。通过X射线衍射和电化学性能测试对所得样品的结构及电化学性能进行了表征。结果表明:LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2具有很好的α-NaFeO2层状结构,以20 mA/g的电流密度在2.5~4.3 V的电压区间充放电时,最高首次放电比容量达175 mA.h/g,首次库伦效率在89%~90%之间。当首次放电比容量为160~170 mA.h/g时,30循环未见容量衰减。锂含量对其电化学性能影响的结果表明:锂含量(n(Li)/n(Ni+Co+Mn))在1.03~1.09的范围内,随着锂含量的增加,放电比容量略有减小,但循环性能、中值电压以及平台性能都得到提高;当锂含量超过1.09时,循环性能、中值电压以及平台性能开始降低。
马全新孟军霞杨磊曹文
关键词:锂离子电池正极材料LINI0电化学性能
衬底和氧分压对Cu掺杂ZnO薄膜的结构及光学特性的影响被引量:1
2010年
采用射频磁控溅射方法在玻璃和硅(100)衬底上制备了不同氧分压的Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致荧光发光(PL)等表征技术,研究了衬底和氧分压对ZnO∶Cu薄膜的结晶性能和光学特性的影响。结果显示薄膜沉积在Si衬底上比玻璃衬底上有更好c轴择优取向,两种衬底上沉积的薄膜有相同的氧分压结晶规律,且在氧氩比为10∶10时,薄膜c轴取向同时达到最好。通过对光致发光的研究表明,在低氧环境时玻璃衬底较容易制得好的发光薄膜,可在富氧环境时Si衬底上制得的薄膜发光性能较好。
陶亚明马书懿陈海霞孟军霞侯丽莉贾迎飞尚小荣
关键词:磁控溅射衬底氧分压光学特性
一种高响应恢复能力强的二硫化钼复合氧化锌气敏材料及制备工艺和应用
本发明提供高响应恢复能力强的二硫化钼复合氧化锌气敏材料及制备工艺和应用,涉及光催化领域,二硫化钼的制备:将摩尔比为3:1的硫脲和钼酸钠溶解在25mL去离子水中,并充分搅拌;将所得溶液转移至50mL聚四氟乙烯衬里高压釜中,...
徐小丽王笙伊陈彦柳旺旺王晓萍李宇泊张国恒马继科徐丽王涛马书懿王洁如赵建江裴世图孟军霞
文献传递
Zn缓冲层对氧化锌薄膜的结构和光学特性的影响被引量:1
2010年
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有高c轴择优取向的不同Zn缓冲层厚度的ZnO(ZnO/Zn)薄膜。利用X射线衍射(XRD)法、扫描电子显微镜(SEM)技术和光致荧光(PL)发光谱(PL)等表征了ZnO/Zn薄膜的微观结构和发光特性。XRD的分析结果显示,随着缓冲层厚度的增加,(002)衍射峰的半高宽(FWHM)逐渐变小,表明薄膜的结晶质量得到改善。通过对样品PL谱的研究,发现分别位于435(2.85eV)和480nm(2.55eV)的蓝光双峰以及530nm(2.34eV)的绿光峰,且缓冲层沉积时间为10min时,样品的单色性最好。推测位于435nm的蓝光发射主要来源于电子从锌填隙缺陷能级到价带顶的跃迁所致,而绿光峰的发光机制与氧空位有关。
贾迎飞马书懿陈海霞陶亚明侯丽莉孟军霞尚小荣
关键词:ZNO薄膜缓冲层光致发光
调控晶核数量工艺改善三元素复合氢氧化物性能的研究
2014年
采用液相沉淀法制备镍钴锰(523)三元素复合氢氧化物,针对制备过程中因造核工艺使得产品小颗粒过多、粒度分布存在小峰的问题,提出造核前增加调控晶核数量工艺。调控晶核数量是指在造核前对反应釜内的达到合格产品进行部分排放及反应釜底部放渣,以此增加造核后小颗粒在反应釜内的停留时间,使得小颗粒有足够的时间团聚长大,从而减少成品内的小颗粒数量,以此满足下游厂家要求,同时通过以上工艺也可弥补反应釜分离不足的缺陷,排放出粒度达到上限要求的产品。研究了不同排放量对最终产品形貌、颗粒度以及振实密度的影响。借助扫描电镜、X射线衍射仪分析产品的形貌和物相,用振实密度测定仪、激光粒度测试仪、ICP光质谱仪测量产品的物理化学指标。结果表明,在造核前增加调控晶核数量可以有效减少最终产品的小颗粒数量,并使得产品粒度分布均匀,底部放渣50L后所制备出的镍钴锰(523)三元素复合氢氧化物的粒度D50为9.0μm。
孟军霞马全新杨智勇
关键词:液相沉淀法
Al掺杂ZnO薄膜的微结构及光学特性研究被引量:4
2010年
采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备出不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响。结果显示,随着Al掺杂量的增加,薄膜的(002)衍射峰先增强后减弱,同时出现了(100)、(101)和(110)衍射峰,表明我们制备的AZO薄膜为多晶纤锌矿结构,适量的Al掺杂可提高ZnO薄膜的结晶质量,然而AZO薄膜的表面平整、晶粒致密均匀。薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过90%,同时随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小。这与采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作出相应的理论计算所得结果的变化趋势完全一致。
孟军霞马书懿陈海霞陶亚明侯丽莉贾迎飞尚小荣
关键词:磁控溅射法AZO薄膜结构特性光学特性
不同缓冲层对ZnO薄膜的性能影响被引量:7
2010年
用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以SnO2、SiO2和Al2O3为缓冲层制备ZnO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计对薄膜的结构和光学性能进行了表征。XRD和SEM的分析结果表明,在SiO2和Al2O3缓冲层上生长的ZnO薄膜具有较好的c轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的平均透过率超过70%;通过对薄膜光致发光谱的分析,认为422nm左右的紫峰来自于电子从晶粒边界的界面缺陷能级到价带的辐射跃迁;PL谱中蓝光和绿光的发光机制与薄膜中的本征缺陷有关。
侯丽莉马书懿陈海霞孟军霞贾迎飞陶亚明尚小荣
关键词:ZNO薄膜缓冲层晶体结构光致发光
Al掺杂浓度、衬底和退火时间对ZnO薄膜特性的影响
ZnO:Al/(AZO/)薄膜因其低电阻率与高可见光区透射率有望替代ITO,成为主要的透明导电氧化物/(TCO/)材料。相对于ITO材料,AZO薄膜原材料丰富,价格低廉且无污染,是理想的透明导电氧化物材料。目前用以制备A...
孟军霞
关键词:AZO薄膜磁控溅射光学特性AL掺杂
文献传递
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