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孔祥君

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:北京理工大学光电学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇EU
  • 2篇等离子
  • 2篇溅射
  • 2篇发光
  • 2篇放电等离子
  • 2篇放电等离子烧...
  • 1篇英文
  • 1篇离子
  • 1篇离子掺杂
  • 1篇金属
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇碱土
  • 1篇碱土金属
  • 1篇溅射靶材
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光材料
  • 1篇发光材料
  • 1篇发光特性
  • 1篇靶材

机构

  • 3篇北京理工大学
  • 2篇中国空间技术...

作者

  • 3篇张东璞
  • 3篇孔祥君
  • 3篇喻志农
  • 3篇薛唯
  • 1篇章婷
  • 1篇冷健
  • 1篇蒋玉蓉

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
用放电等离子烧结的BaS:Eu片组成的复合靶溅射制备BaAl2S4:Eu薄膜(英文)
2012年
采用放电等离子烧结方法烧制BaS:Eu片,将该片嵌入铝靶中,溅射制备BaAl_2S__4:Eu薄膜。在制备的所有薄膜中均有BaAl_2S__4:Eu存在,当嵌入的BaS:Eu片数量大于3时,还有BaAl_2S__7生成。薄膜被氧化后会产生BaAl_2O_4、BaSO_4和Al_2O_3。随着嵌入BaS:Eu片数量的增加,钡的硫代铝酸盐(包括BaAl_2S__4:Eu和BaAl_4S_7)的含量增加,而A1_2O_3和BaS的含量降低。在复合靶中嵌入更多的BaS:Eu片,薄膜中的Al和Ba的元素比趋近2.0,光的发射谱谱峰趋于470nm。因此,在复合靶中增加BaS:Eu片的数量可以得到更好的BaAl_2S__4:Eu薄膜,放电等离子烧结技术适用于合成用于溅射制备BaAl_2S__4:Eu薄膜的靶材。
喻志农孔祥君张东璞张东璞
关键词:溅射放电等离子烧结
二价铕离子掺杂碱土金属硫代铝酸盐电子振动耦合参量与发光特性
2011年
为了获得高效的蓝色和绿色的电致发光材料,对Eu2+掺杂的碱土金属硫代铝酸盐电子振动耦合参量与发光特性的关系进行了深入研究。首先简述了用于MⅡAl2S4∶Eu材料发光性能评估的位形坐标模型并引入各评估参量;其次结合材料的晶体结构对MⅡAl2S4∶Eu材料的光致发光和电致发光性能进行了比较和分析;最后,通过材料的PL光谱曲线计算出材料的特征能量和两个比值因子参量的值,从而得到对MⅡAl2S4∶Eu发光材料的量化比较。根据评估结果和其CIE1931色坐标的比较,可以认为BaAl2S4∶Eu和CaAl2S4∶Eu较适合于作为蓝色和绿色发光材料。由于可以使发射峰发生移动,镁、锶的硫代铝酸盐可以作为复合硫代铝酸盐发光材料使用。
张东璞薛唯喻志农章婷蒋玉蓉冷健孔祥君
关键词:发光特性晶体结构
BaAl_2S_4:Eu溅射靶材合成方法研究被引量:3
2012年
采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4:Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果表明,SPS烧结的BaAl2S4:Eu溅射靶材的纯度高,无其它硫化物形成,被氧化的可能性小,靶材致密,气孔少;形成薄膜的PL谱主要是470nm处的蓝光发射.粉末烧结法制备的Ba-Al2S4:Eu溅射靶材的纯度低,靶材被氧化的几率大,气孔多,不致密,呈三维网状结构;在470nm处的蓝光发射峰值相对较弱.放电等离子烧结方法更适合制备BaAl2S4:Eu溅射靶材.
喻志农孔祥君张东璞薛唯
关键词:发光材料溅射靶材放电等离子烧结
共1页<1>
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