周绪荣
- 作品数：5 被引量：11H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术更多>>
- 用于紫外光探测器及发光管的Al<,x>Ga<,1-x>N材料的物性研究
- GaN及其化合物AlxGa1-xN，InxGa1-xN，AlxInyGa1-x-yN在光电器件及高温、高功率电子器件等方面有着广泛的应用。近年来，制备高效率的深紫外LED及太阳光盲探测器是Ⅲ族氮化物研究中的热点课题之一，...
- 周绪荣
- 关键词：紫外光探测器发光管
- AlGaN紫外光探测器
- 我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型探测器.其中,器件最短的截止波长...
- 岑龙斌桑立雯周绪荣秦志新张国义
- 关键词：ALGAN材料紫外光探测器肖特基接触欧姆接触
- 文献传递
- 蓝宝石衬底上GaN/Al_xGa_(1-x)N超晶格插入层对Al_xGa_(1-x)N外延薄膜应变及缺陷密度的影响被引量：10
- 2008年
- 室温300 K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到AlN的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料。高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配。因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的AlxGa1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂。GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少AlxGa1-xN薄膜中缺陷的有效方法。研究了GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上AlxGa1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,AlxGa1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到。AlxGa1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到。对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4 nm/4 nm,5 nm/5 nm,8 nm/8 nm的GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加AlxGa1-xN外延薄膜缺陷密度降低,AlxGa1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5 nm/5 nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层AlxGa1-xN外延薄膜的张应变最小。在保持5 nm阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8 nm,即十个周期的5 nm/8 nm GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层使AlxGa1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变。由X射线衍射结果计算了AlxGa1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果。透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5 nm/8 nm GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层导致AlxGa1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变。
- 周绪荣秦志新鲁麟沈波桑立雯岑龙斌张国义俞大鹏张小平
- 关键词：超晶格
- 蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响
- AlGaN 是紫外光探测器和深紫外 LED 所必需的外延材料,而采用 MOCVD 在蓝宝石衬底上生长的 GaN 基 AlGaN 薄膜由于受张应变非常容易发生龟裂。GaN/AlGaN 超晶格插入层技术是释放应力和减少 Al...
- 周绪荣秦志新鲁麟沈波岑龙斌张国义俞大鹏
- 关键词：ALXGA1-XN超晶格位错
- 文献传递
- 307-325nm波长AlGaN基紫外光探测器被引量：1
- 2007年
- 通过在GaN缓冲层上先生长一层20 nm厚的AlN插入层,成功地在此插入层上生长出了200 nm厚的AlxGa1-xN(0.220.20时,其上Ni基肖特基势垒高度几乎是不变的。在O2氛围中,300℃下,对AlxGa1-xN材料上10 nm厚的金属Ni层氧化90 s,得到了此Ni层在314 nm的透射率由57.5%提高到78.2%。在器件的光电流谱测量中,得到了器件最短的截止波长为307 nm,紫外/可见光达到103以上。
- 岑龙斌桑立雯周绪荣秦志新张国义
- 关键词：ALGAN紫外光探测器肖特基接触
