刘芳
- 作品数：7 被引量：11H指数：3
- 供职机构：黔南民族师范学院物理与电子科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金贵州省教育厅自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- Si_3P_4和Ge_3P_4电子结构及光学性质的第一性原理研究
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),计算了赝立方结构的Si3P4和Ge3P4的基态稳定结构,以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明:Si3P4和Ge3P4均为间接带隙半导体,Si-P键及Ge-P键成键方式为共价键;Si3P4和Ge3P4均具有较大的静态介电常数;两者相比较而言,Ge3P4的反射率、折射率及吸收系数在数值上更大。从Si3P4和Ge3P4的能量损失函数中可知仅有外层电子参与了光学跃迁。计算结果为这两种材料的潜在应用提供了理论依据。
- 刘芳桑田赵华周武雷杨宇
- 关键词：光学性质第一性原理
- 离子束溅射生长Ge纳米薄膜的表面形貌观察被引量：3
- 2009年
- 采用离子束溅射技术并按正交试验方案生长了不同厚度以及在不同条件下退火的Ge纳米薄膜,用AFM图谱对薄膜的表面形貌进行了表征。结果表明厚度为2.8nm的Ge膜在600℃下退火10min,出现了高4nm、直径50nm左右的Ge岛,而10nm厚的Ge膜在720℃下退火120min,岛的数量较多且分布比较均匀。通过离子束溅射机理和沉积原子之间的扩散运动,对这些现象进行了较为合理的解释。
- 杨杰王茺欧阳焜杨瑞东刘芳杨宇
- 关键词：离子束溅射表面形貌退火
- 第一性原理研究镧系稀土元素掺杂硅基半导体材料光电特性被引量：1
- 2015年
- 由于稀土元素具备独特的电子结构和光学性质,使稀土元素称为半导体掺杂的人们材料之一,本文主要阐述镧系稀土原子掺杂硅基半导体中掺杂的原理、掺杂方法,以及稀土元素掺杂后对硅基半导体材料结构本身的电学和光学性质的影响。
- 刘芳
- 关键词：第一性原理光电特性
- 带虚设层的抗反射结构导模共振滤波器设计与分析被引量：3
- 2013年
- 提出带虚设层的抗反射导模共振滤波器结构及设计方法,该方法适用于任意角度入射带虚设层的抗反射结构导模共振滤波器设计与分析.得到带虚设层的导模共振滤波器抗反射结构所满足的关系式.指出在维持虚设层光学厚度不变的情况下,可以通过不同选材,在低反射旁带中实现等带宽不同波长的选择.此外,由于结构的抗反射特性在低角范围内具有较大的角度容差,改变入射角,可以实现滤波波长及光谱带宽在宽光谱范围内的准线性可调谐.
- 桑田蔡托刘芳蔡绍洪张大伟
- 关键词：抗反射导模共振滤波
- Si(001)-p(2×2)表面原子结构与电子态的第一性原理研究
- 2015年
- 采用基于第一性原理的密度泛函方法对Si(001)-p(2×2)表面的原子结构和电子态进行了系统的研究。计算采用的是含有8个Si原子层的超晶胞结构,且电子态是由Si(001)-p(2×2)表面的优化结构分析所得。计算结果表明表面形成了非对称二聚体,近表面几层原子发生相应的弛豫现象。由于表面原子的配位环境发生变化,表面原子的电荷分布也发生了变化。通过对比,得到了与实验结果一致的计算结果。
- 刘芳赵华周武雷郑勇杨宇
- 利用第一性原理研究Ge∶Si电子结构与光学性质被引量：1
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和广义梯度近似,计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度。计算结果表明,Ge掺杂后体系晶格常数发生变化,Ge-Si键变长,布居值及带隙宽度减小。还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质,掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大,且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移,并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释。
- 刘芳王茺杨瑞东李亮熊飞杨宇
- 关键词：第一性原理SIGE电子结构光学性质
