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刘建党

作品数:32 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术文化科学核科学技术更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 12篇会议论文
  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇理学
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 21篇正电子
  • 9篇正电子湮没
  • 8篇闪烁体
  • 8篇探测器
  • 5篇数字化
  • 5篇谱仪
  • 5篇放射源
  • 4篇数据处理
  • 4篇数据处理模块
  • 3篇正电子寿命
  • 3篇脉冲
  • 2篇多路
  • 2篇斩波
  • 2篇斩波器
  • 2篇支持向量
  • 2篇支持向量机
  • 2篇支持向量机算...
  • 2篇数据采集
  • 2篇数据采集模块
  • 2篇数字采样

机构

  • 32篇中国科学技术...
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国科学院等...

作者

  • 32篇刘建党
  • 31篇叶邦角
  • 10篇成斌
  • 7篇翁惠民
  • 5篇张丽娟
  • 5篇张杰
  • 4篇韩荣典
  • 3篇郝颖萍
  • 3篇谷冰川
  • 2篇安然
  • 2篇熊涛
  • 2篇周先意
  • 2篇孔伟
  • 2篇李强
  • 1篇王力海
  • 1篇赵明磊
  • 1篇黄世娟
  • 1篇杜淮江
  • 1篇张传超
  • 1篇张礼楠

传媒

  • 4篇第十四届全国...
  • 3篇物理学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇核科学与工程
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇“创新——核...

年份

  • 7篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2021
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2012
  • 7篇2010
  • 3篇2009
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
反尖晶石结构磁性纳米Fe3O4材料的正电子湮没谱学研究
本文对磁性纳米Fe3O4样品进行了X射线衍射、正电子湮没寿命谱测量,研究了不同了压力、退火温度和退火气氛对磁性纳米Fe3O4样品的物相、缺陷等信息的影响。X射线衍射证实Fe3O4具有反尖晶石结构;正电子湮没
许红霞安然郝颖萍刘建党成斌孔伟韩荣典翁惠民叶邦角
关键词:正电子
一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法
本发明涉及用于正电子湮没多普勒展宽测量的多普勒谱仪的技术领域,具体为一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法。包括高纯锗探测器、放大器、反符合模块和数据采集处理模块,高纯锗探测器用于接收正负电子...
陈奕文李钰环罗迷刘建党张宏俊叶邦角
一种数字化反符合多路互为起始正电子湮没寿命谱仪
本发明涉及一种数字化反符合多路互为起始正电子湮没寿命谱仪,包括:多路闪烁体探测模块、数字化信号采集模块、计算机终端、样品结构单元;所述多路闪烁体探测模块:包括一路反符合探测器和三路互为起始的符合探测器,都使用光电倍增管和...
董赟赵秋贺叶邦角刘建党张宏俊
一种具有位置分辨的缪子X射线元素分析方法
本发明涉及一种具有位置分辨的缪子X射线元素分析方法,属于缪子X射线元素分析技术领域。本发明的检测方法基于编码孔径成像系统,检测操作步骤如下:(1)通过缪子X射线采集待测样品的缪子X射线能谱图;(2)统计各元素的K<Sub...
潘子文林泽斌叶邦角刘建党
N2分压对TaN阻挡层沉积生长影响的慢正电子技术分析
集成电路的微型化使金属互联线间的电阻和电容所产生的寄生效应越来越明显,低介电常数材料(low-k)和铜(Cu)材料相结合,减小电路中的寄生电容,减少RC延时。但Cu易向介质内部扩散(APPLIED PHYSICS LET...
刘建党成斌郝颖萍翁惠民叶邦角
文献传递
慢正电子束研究质子辐照CLAM钢产生的缺陷及其退火行为被引量:6
2009年
为了研究中国低活化马氏体CLAM钢的辐照损伤机理,本文利用慢正电子技术研究了质子辐照CLAM钢时所产生的缺陷及其退火回复行为,发现辐照在材料中产生空位团数密度随质子注量增加而增多,而其尺度增大并不明显。辐照仅产生原子尺度的空位和空位团,400℃退火可以使缺陷很好地消除。此外分析了硅对CLAM钢辐照性能的影响,实验上没有观察到硅的添加抑制了质子辐照缺陷的产生。
章征柏叶邦角翁惠民彭蕾刘建党楼捷FDS团队
关键词:质子辐照CLAM钢
基于深度学习的正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法
本发明公开了一种基于深度学习的正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法,包括伽马光子探测模块、数据采集模块、数据处理模块、深度神经网络训练模块、分类模块和数据分析模块。本发明利用深度神经网络,通过对预先分类的高纯锗探测器脉冲...
陈奕文李钰环罗迷刘建党张宏俊叶邦角
精细正电子湮没参数获取的研究
<正>材料中缺陷形态的研究是分析材料结构敏感特性和探讨材料质量控制的核心。而这些种类繁多的缺陷形态都会对正电子的湮没参数造成影响。能够灵敏的探测缺陷的存在是正电子湮没分析技术的优势,但测量到的正电子湮没参数也是这些形态各...
刘建党叶邦角
文献传递
一种数字化反符合多路互为起始正电子湮没寿命谱仪
本发明涉及一种数字化反符合多路互为起始正电子湮没寿命谱仪,包括:多路闪烁体探测模块、数字化信号采集模块、计算机终端、样品结构单元;所述多路闪烁体探测模块:包括一路反符合探测器和三路互为起始的符合探测器,都使用光电倍增管和...
董赟赵秋贺叶邦角刘建党张宏俊
文献传递
完美晶体中正电子体寿命计算的几种方法的分析与比较
2014年
以正电子寿命为探测对象的正电子湮没寿命谱技术在研究半导体等材料的微缺陷方面得到了广泛的应用,它对晶体的结构类型、缺陷种类以及温度等十分敏感,因此,理论上正电子寿命的快速精确计算与实验数据的结合分析显得尤为重要.采用中性原子叠加模型、赝势方法和全势方法处理正电子局域势能,有限差分方法自洽求解正电子波函数,局域密度近似和广义梯度近似处理正电子电子关联势和增强因子,以体心立方结构的α-Fe、面心立方结构的Al和复式面心立方结构的Si三种单晶固体为例,分别计算了它们的正电子体寿命,计算值与相应的实验结果和其他计算结果均符合较好.同时细致分析了这几种方法在电子密度网格点精度、正电子电子关联势和增强因子等方面对正电子体寿命计算的影响,探讨了这几种方法在计算正电子体寿命方面各自的优缺点.
黄世娟张文帅刘建党张杰李骏叶邦角
共4页<1234>
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