翁惠民
- 作品数：79 被引量：88H指数：6
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信核科学技术更多>>
- 真空电子偶素产额法测定正电子在固体中的扩散参数
- 1990年
- 本文报告一个新的实验方法,可以从实验上测定正电子在金属中的扩散参数。过去,用加电场E测正电子漂移速度V,由迁移率μ=V/E,通过关系式D_+=μKT/e求出扩散系数D_+。此法只能用于半导体和非金属材料,对于金属只能靠理论估算。本文所述真空电子偶素产额法不但适用于半导体和非金属,而且适用于金属材料。对于金属材料这也是目前唯一能用的方法。
- 翁惠民郭学哲韩荣典徐纪华孙晓舞
- 关键词：电子偶素漂移速度电子能量入射能量
- 反尖晶石结构磁性纳米Fe3O4材料的正电子湮没谱学研究
- 本文对磁性纳米Fe3O4样品进行了X射线衍射、正电子湮没寿命谱测量,研究了不同了压力、退火温度和退火气氛对磁性纳米Fe3O4样品的物相、缺陷等信息的影响。X射线衍射证实Fe3O4具有反尖晶石结构;正电子湮没
- 许红霞安然郝颖萍刘建党成斌孔伟韩荣典翁惠民叶邦角
- 关键词：正电子
- 第2系列ZrO_2(Y_2O_3)薄膜的慢正电子研究被引量：1
- 2000年
- 用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,衬底加热 30 0℃ ,纯Ar气氛下制备的用Y2 O3 稳定的ZrO2 薄膜材料 (简称YSZ薄膜 ) ,发现了YSZ薄膜在不同深度处的缺陷分布情况 ,退火温度对YSZ薄膜缺陷有影响 .简要讨论了致密、优质YSZ薄膜的制备方法 .
- 邹柳娟夏风邹道文翁惠民黄千峰周先意韩荣典
- 关键词：慢正电子束ZRO2薄膜Y2O3
- ZrO_2薄膜的表层结构
- 1999年
- 用射频溅射技术制备了ＺｒＯ２ 薄膜，用慢正电子束分析该薄膜，发现它的表层存在一高正电子吸收区，它与钇的表面富集有关，提出了相应的模型。
- 夏风邹柳娟钱晓良邹道文翁惠民黄千峰周先意韩荣典
- 关键词：慢正电子束YSZ氧化锆
- 低能As^+注入Si(100)产生缺陷的研究被引量：1
- 1998年
- 介绍了用慢正电子束探针研究Ａａ＋以不同角度注入Ｓｉ（１００）产生的缺陷以及退火后缺陷清除效应的结果。用正电子的Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽湮没技术对样品作无损检测，采用一维的扩散方程进行拟合，对缺陷分布求解，获得缺陷的各种信息。实验结果表明，１５°小角度注入产生的缺陷浓度比６０°注入的要大，而且两者的缺陷类型也不同；
- 翁惠民黄千峰杜罡韩荣典
- 关键词：离子注入退火砷离子
- 碳同素异形体的康普顿轮廓研究
- 2005年
- 本文介绍了用康普顿散射方法研究碳同素异形体的电子动量密度分布。实验中得到了碳不同结构材料的康普顿轮廓,发现由于晶体结构、成键方式的不同,它们的核外电子动量有着较显著的区别,纳米材料的表面效应表现明显。
- 张良平叶邦角陈祥磊孔伟程明福翁惠民杨保忠
- 碳纳米管束中的正电子理论被引量：10
- 2007年
- 采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况,发现对于单壁碳纳米管束,正电子的主要湮没区域,湮没对象和正电子寿命随碳纳米管管径的不同而发生规律性变化.计算得到管径范围在0.8—1.6nm的碳纳米管束的正电子寿命范围为332—470ps,与实验测得的394ps符合较好.
- 陈祥磊郗传英叶邦角翁惠民
- 关键词：局域密度近似单壁碳纳米管正电子寿命
- 数字化正电子寿命谱谱仪发展现状与研究
- 近年来,作为正电子寿命谱仪(positron lifetime spectrometer,PLS)的一项重要革新,数字化的正电子寿命谱仪(digital positron lifetimespectrometer,DPL...
- 成斌叶邦角翁惠民周先意韩荣典
- 文献传递
- 纳米Fe_3O_4颗粒的正电子湮没谱学研究被引量：1
- 2011年
- 测量了磁性纳米Fe3O4颗粒的X射线衍射谱(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDBS),研究了不同压力和退火温度对磁性纳米Fe3O4颗粒物相、电子结构、缺陷及电子动量分布等的影响.XRD,PALS,CDBS测量结果表明:纳米Fe3O4颗粒的缺陷浓度随压力的增加而增大,但物相和缺陷类型并未发生变化;磁性纳米Fe3O4颗粒的物相、缺陷类型及缺陷数量随着退火温度的提高发生了显著的变化;大气环境中压成的纳米Fe3O4样品,相变发生在350—500℃范围内.随着退火温度的提高,纳米Fe3O4颗粒长大导致使界面缺陷数量减少、S参数变小、商谱高动量区的升高.
- 许红霞郝颖萍韩荣典翁惠民杜淮江叶邦角
- 关键词：正电子FE3O4
- 慢正电子束研究N^+注入金属镍中生成的缺陷
- 1993年
- 用慢正电子束配合多普勒湮没能谱测量技术研究N^+离子注入镍样品产生的缺陷。由未注入的样品得到了正电子在镍中的扩散参数E_0=4.6keV。比较两个样品的S参数随入射正电子能量变化的曲线给出了95keV、6.4×10^(17)/cm^2剂量的N^+注入镍样品所产生的缺陷分布;缺陷由表面一直延伸到190nm,浓度最大的区域在27—110nm。这些都与由Trim程序的Monte Carlo模拟计算的结果很好地符合。
- 韩荣典翁惠民徐纪华郭学哲林成鲁俞耀辉
- 关键词：离子注入镍
