何伟
- 作品数：8 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 非制冷红外焦平面CMOS读出电路设计被引量：4
- 2008年
- 在过去的10年里红外焦平面阵列成像技术逐渐进入了成熟期,从红外焦平面的发展背景出发,简要介绍了一种新颖的非制冷焦平面成像技术,论述了读出电路在红外焦平面信号传输中的作用并介绍了其基本框图,分析了国内外焦平面读出电路的现状,最后提出了一些在红外焦平面阵列读出电路设计中所需要注意的问题。
- 薛惠琼焦斌斌何伟欧毅陈大鹏叶甜春
- 关键词：非制冷红外焦平面读出电路
- 非制冷红外焦平面阵列进展被引量：11
- 2008年
- 非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。
- 何伟焦斌斌薛惠琼欧毅陈大鹏叶甜春
- 关键词：非制冷红外焦平面阵列热释电热电堆光力学
- CMOS工艺兼容红外焦平面阵列的设计及制作
- 研究了一种与CMOS工艺兼容的红外焦平面阵列,在SOI的顶层硅制作横向PN结敏感单元,多晶硅作为微像素支撑桥,氧化层和非晶硅填充的深槽作为XeF2释放阻挡结构。首先,对基于PN结温阻效应的器件的基本工作原理进行了分析探索...
- 明安杰陈大鹏欧文王玮冰何伟刘占峰
- 关键词：FPACMOSSOI
- 文献传递
- 非制冷红外探测器件及其制作方法
- 本发明提供一种非制冷红外探测器件及其制造方法，包括：包含有绝缘层的衬底；所述衬底上的SiGe层，所述SiGe层中包括相邻的P型区和N型区。相应的，本发明还提供另一种非制冷红外探测器件，包括：SOI衬底，所述SOI衬底具有...
- 欧文何伟陈大鹏
- 文献传递
- 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
- 本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A、硅片氧化还原，在纵向形成所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦化，以在横向划分红外探测单...
- 何伟明安杰薛惠琼焦斌斌欧毅陈大鹏
- 文献传递
- 基于SOI Si片的二极管红外探测器被引量：4
- 2009年
- 介绍了红外热成像技术的几种技术方案,重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术。通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOISi片流片和测试,分别得到了单晶Si二极管在固定偏置电流下的电压-温度响应特性,理论分析、模拟和实测结果三者吻合很好。在1μA的偏置电流下,单个二极管的温度灵敏度分别为1.40,1.35和1.52mV/K,三者的差别主要是由于理论分析和ISE-TCAD软件模拟中没有考虑欧姆接触电阻和引线电阻等串联电阻。
- 何伟陈大鹏明安杰黄卓磊欧毅焦斌斌薛惠琼
- 关键词：红外热成像红外探测器二极管SOI温度灵敏度
- 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
- 本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A.硅片氧化还原，在纵向形成所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦化，以在横向划分红外探测单...
- 何伟明安杰薛惠琼焦斌斌欧毅陈大鹏
- 文献传递
- 基于多晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
- 本发明涉及一种基于多晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A.深槽刻蚀，填充及平坦化，以在横向划分红外探测单元；步骤B.在底硅层正面淀积埋氧层和顶硅层；步骤C.在每一红外探测单元...
- 何伟明安杰薛惠琼焦斌斌欧毅陈大鹏
- 文献传递
