严春平
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种用于硅通孔的阻挡层和种子层一体化制备工艺研究被引量：2
- 2012年
- 介绍了一种硅通孔中阻挡层和种子层制备的新型工艺方法。利用磁控溅射的方法在SiO2上沉积1μm的Ti膜。表层的Ti膜湿法氧化后作为种子层,底层Ti膜作为阻挡层。填充材料选择Cu,利用电镀的方法填充。利用热退火的方法来测试Cu的扩散性能,即Ti膜的阻挡特性,热退火试验选择350,400,450℃三种不同的温度。XPS结果表明:在400℃及以下温度阻挡层成功阻挡了Cu的扩散。目前已在硅通孔中初步实现此种结构并完成通孔中Cu的填充。
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- 关键词：阻挡层
- 面内运动的多向多通道多稳态微机电开关
- 一种微机电技术领域的面内运动的多向多通道多稳态微机电开关，包括：位于基底上由内而外依次设置的双稳态部分、四个热驱动机构和四个外接电回路机构，四个外接电回路机构镜像对称设置于双稳态部分的外侧四个顶角位置并与外界电路相连，四...
- 吴义伯严春平张振杰丁桂甫张丛春汪红
- 文献传递
- 在硅通孔表面生长阻挡层与种子层的方法
- 一种半导体技术领域的一种在硅通孔表面生长阻挡层与种子层的方法，通过对具有硅通孔的基片依次进行Ti沉积和湿法氧化后得到具有阻挡层和种子层的硅通孔结构。本发明利用了TiO<Sub>2</Sub>良好的稳定性和导电性能，不易起...
- 张丛春侯捷严春平丁桂甫汪红杨春生
- 在硅通孔表面生长阻挡层与种子层的方法
- 一种半导体技术领域的在硅通孔表面生长阻挡层与种子层的方法，通过对具有硅通孔的基片依次进行Ti沉积和湿法氧化后得到具有阻挡层和种子层的硅通孔结构。本发明利用了TiO<Sub>2</Sub>良好的稳定性和导电性能，不易起化学...
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- 文献传递
- TSV技术中关键工艺基础研究
- 集成电路随着线宽的减少,互连延迟超过门延迟,限制了集成度增加。基于硅通孔(TSV)的垂直铜互连不仅可以实现高密度集成,而且其短距离互连的优势可以降低互连延迟。 TSV技术的核心在于通孔的制备和填充,包含以下技术：硅通孔刻...
- 严春平
- 关键词：湿法氧化阻挡层
- 文献传递
