顾明
- 作品数：22 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用标准工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法
- 一种用标准工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：在硅衬底上的中间生长二氧化硅层；步骤2：在硅衬底上、二氧化硅层的两端，分别制作阱和有源区，一端形成光源，另一端形成探测器；步骤3：在二氧化...
- 陈弘达顾明高鹏
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- 应用于脑机接口无线微系统的专用集成电路设计
- 脑机接口(BCI)是利用脑电信号实现人脑与计算机或其他外部设备的通讯和控制，在康复医学和控制工程等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了应用于BCI无线微系统的工作过程，并重点论述了BCI植入系统专用集成电路关键模块的设计。
- 朱琳顾明张旭刘金彬陈弘达
- 关键词：脑机接口电路设计专用集成电路
- 文献传递
- 多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法
- 一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第...
- 陈弘达黄北举顾明刘海军
- 文献传递
- 与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺
- 本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置...
- 陈弘达刘海军高鹏顾明
- 文献传递
- 双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器
- 一种双电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一SOI衬底；一二氧化硅掩埋层位于SOI衬底上；一p型单晶硅层为SOI衬底上的单晶硅，在p型单晶硅层的两侧形成栅氧化层；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；一n型单晶硅...
- 陈弘达黄北举刘海军顾明
- 文献传递
- 与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺
- 本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置...
- 陈弘达刘海军高鹏顾明
- 文献传递
- 一种用于有线接收机的宽带高线性度的下变频混频器(英文)被引量：1
- 2006年
- 分析了一种宽带高线性度的用于有线接收机的下变频混频器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺.射频输入信号频率范围设计为1～1.8GHz,测得的1dB压缩点达到＋14.23dBm,最大转换增益为8.31dB,最小噪声系数为19.4dB,在5V供电情况下,直流功耗为54mW.
- 顾明石寅代伐
- 关键词：BICMOS宽带线性度下变频混频器SIGE
- 为调谐器设计的带自动幅度控制1·1GHz差分压控振荡器(英文)
- 2006年
- 为集成调谐器接收机芯片系统设计了一个带自动幅度控制回路的差分结构电容电感压控振荡器.通过采用pMOS管作为有源负阻使振荡器谐振回路可以直接接地电平,减小了寄生效应,扩大了频率调谐的线性及其范围.采用的自动幅度控制AAC回路具有元件少,噪声低,控制灵敏,调节容易,结构简单及设计方便的优点,并保证振荡器电路的性能最小地依赖于环境和制造工艺参数的变化.所设计的压控振荡器采用新加坡特许50GHz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺流片,经测试在1MHz频率偏移处达到了-127.27dBc/Hz的相位噪声性能,具有宽的（990～1140MHz）和线性（调谐增益32.4MHz/V）的频率调谐曲线.整个振荡器电路在5V的供电电压下仅消耗6.6mA的电流,可以满足调谐器的应用需要.
- 颜峻毛威马德胜顾明许奇明胡雪青石寅代伐
- 关键词：调谐器
- 硅基CMOS发光二极管驱动电路的设计
- 采用商业0.35μm标准CMOS工艺设计了一种硅基CMOS发光二极管的驱动电路。建立了该发光二极管的等效电路模型。模拟结果显示该驱动电路工作频率可以达到200MHz以上，调制输出电流幅度可以达到20mA。该驱动电路能为C...
- 刘海军顾明刘金彬黄北举陈弘达
- 关键词：CMOS工艺驱动电路等效电路
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- 多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法
- 一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第...
- 陈弘达黄北举顾明刘海军
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