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刘海军

作品数：20 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 10篇金属
  • 10篇硅基
  • 8篇金属接触
  • 8篇发光
  • 7篇波导
  • 6篇波导结
  • 6篇波导结构
  • 5篇电光
  • 5篇调制器
  • 5篇氧化层
  • 5篇二极管
  • 5篇发光二极管
  • 5篇半导体
  • 4篇电光调制
  • 4篇电光调制器
  • 4篇电路
  • 4篇电容
  • 4篇光调制
  • 4篇光调制器
  • 4篇硅衬底

机构

  • 20篇中国科学院

作者

  • 20篇刘海军
  • 19篇陈弘达
  • 15篇顾明
  • 13篇黄北举
  • 6篇刘金彬
  • 5篇高鹏
  • 1篇许奇明
  • 1篇张旭

传媒

  • 2篇第九届北京学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 4篇2009
  • 5篇2008
  • 7篇2007
  • 4篇2006
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器
一种双电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一SOI衬底；一二氧化硅掩埋层位于SOI衬底上；一p型单晶硅层为SOI衬底上的单晶硅，在p型单晶硅层的两侧形成栅氧化层；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；一n型单晶硅...
陈弘达黄北举刘海军顾明
文献传递
与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺
本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置...
陈弘达刘海军高鹏顾明
文献传递
硅基CMOS发光二极管驱动电路的设计
采用商业0.35μm标准CMOS工艺设计了一种硅基CMOS发光二极管的驱动电路。建立了该发光二极管的等效电路模型。模拟结果显示该驱动电路工作频率可以达到200MHz以上，调制输出电流幅度可以达到20mA。该驱动电路能为C...
刘海军顾明刘金彬黄北举陈弘达
关键词：CMOS工艺驱动电路等效电路
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三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器
一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一n型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上；一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在n型...
陈弘达黄北举刘金彬顾明刘海军
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深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器及制作方法
一种深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器，包括：一P衬底；一正方形N阱区制作在P衬底上；一环形浅沟道隔离区制作在N阱区中，且被环形N+区环绕；一阵列形第一P+区制作在N阱区中，且被环形浅沟道隔离区环绕，构成探测器阵列...
陈弘达高鹏顾明刘海军
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多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法
一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第...
陈弘达黄北举顾明刘海军
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与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺
本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置...
陈弘达刘海军高鹏顾明
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采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管
一种采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管，包括：一P型硅衬底；一N阱阱制作在P型衬底上的中间部位；一N+叉指型扩散区制作在N阱内；一第一金属接触制作在该N+叉指型扩散区上；一P+叉指型扩散区制作在N阱内；一第...
陈弘达刘海军黄北举
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高性能硅基MOS电光相位调制器(英文)被引量：2
2006年
提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率.模拟显示,调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2·4V·cm,上升和下降时间分别为80和40ps ,带宽达到了8GHz .通过减小器件尺寸能进一步提高调制效率和调制速度.
黄北举陈弘达刘金彬顾明刘海军
关键词：电光相位调制器金属-氧化物-半导体
CMOS硅发光二极管驱动电路
一种CMOS硅发光二极管驱动电路，其特征在于，包括：一输入阻抗匹配电路；一差分信号放大电路，该差分信号放大电路接收输入阻抗匹配电路的信号，该差分信号放大电路将输入小信号进行放大；一源跟随器电路，该源跟随器电路接收差分信号...
陈弘达刘海军黄北举
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