陈忠和
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si_3N_4膜对MOS电容器存储时间影响的研究
- 2006年
- Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下,栅介质SiO2膜厚度100 nm,MOS电容器存储时间420 s。在50 Pa真空压力下,通过淀积70 nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器无存储时间。经900℃O2气氛退火40 min,MOS电容器的存储时间也不到2 s。采用7孔径降低气体流速,从而降低淀积速率,在840℃下,栅介质SiO2膜厚度100 nm,MOS电容器存储时间420 s;在60.71 Pa真空压力下,淀积70 nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器存储时间曲线不正常,经900℃O2气氛退火40 min,曲线恢复正常,MOS电容器存储时间达到400 s以上。
- 陈忠和许青高燕陈捷
- 关键词：退火
