陆剑侠
- 作品数：10 被引量：12H指数：2
- 供职机构：东北微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 信息时代最重要的基石——微电子被引量：2
- 2002年
- 分析了国际国内微电子行业市场情况 ,着重阐述了微电子行业在信息时代的重要作用。最后 。
- 陆剑侠李树良
- 关键词：微电子集成电路半导体技术
- 抗辐射体硅CMOS工艺技术研究
- 1996年
- 论述和分析了在抗辐射体硅CMOSI艺制造过程中，栅介质种类、栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射能力的关系。
- 陆剑侠李正孝张沈军许仲德陶星袁凯
- 关键词：CMOS电路硅
- 高浓度离子注入砷隐埋层技术
- 1996年
- 高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比，具有表面浓度高，硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平的“DYL多元逻辑八位高速机频D／A转换器”集成电路。
- 樊崇德陆剑侠张沈军陶星袁凯
- 关键词：离子注入双极型集成电路砷集成电路
- CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
- 1999年
- 以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路； 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 Ｓ Ｏ Ｄ
- 王怀荣姚达苏秀娣许仲德陆剑侠顾长志金曾孙
- 关键词：集成电路抗辐射
- CMOS/SOD电路的高温工作特性
- 1997年
- 采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。
- 顾长志金曾孙孟强邹广田陆剑侠苏秀娣许仲德姚达王怀荣
- 关键词：金刚石膜IC
- 多晶硅发射极技术在八位高速视频DAC中的应用
- 1996年
- 掺磷（砷）多晶硅形成NPN晶体管发射结是提高fT及双极集成电路工作速度的最佳途径之一，目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、退火及刻蚀工艺研究，确定制造高fT及β值的NPN晶体管最佳工艺条件及参数控制，研制出速度小于4ns高性能多元逻辑八位高速视频D／A转换器集成电路。该产品主要电参数性能已达到及部分超过了目前国际先进产品的水平。
- 樊崇德王怀荣陆剑侠朱宝法张沈军
- 关键词：数-模转换器视频DAC多晶硅发射极
- 对发展我国录相机集成电路的探讨
- 1992年
- 本文就我国录相机产业现状、市场需求及国内外情况对比做了详尽的介绍,较为系统地分析了录相机六大组件中占首要地位的录相机集成电路的发展现状和存在问题。在预测我国录相机产业发展前景的同时,提出加快我国录相机产业发展采取的相应措施。特别指出,为迅速发展我国的录相机用集成电路,使国产录相机参予国际竞争并进入国际市场,必须采用国际标准的设计规范和工艺规范,必须推出有中国自己版权的集成电路。
- 李正孝李威陆剑侠祝晓刚
- 关键词：录相机集成电路
- 微电子技术的发展趋势与展望被引量：9
- 1999年
- 本文叙述了世界微电子技术和集成电路的芯片工艺、设计及封装技术 ,对今后可能出现或将成为主流产品的微电子器件作了分析与展望。
- 陆剑侠王效平苏舟
- 关键词：微电子技术集成电路
- 录像机系列专用集成电路研制
- 1993年
- 本文报告了 LT6209等六种录像机专用双极型集成电路的开发与研制,阐述了版图设计、工艺设计及研制中所遵守的原则和解决的主要问题。
- 陆剑侠白光显丁春志苏舟
- 关键词：录像机集成电路
- SEU的二维数值模拟被引量：1
- 2005年
- 本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍。运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single -Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性。
- 宋哲王莉陆剑侠许仲德
- 关键词：SOI抗辐射
