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郝国栋

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：内蒙古大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇压力效应
  • 2篇迁移率
  • 1篇声子
  • 1篇声子模
  • 1篇迁移
  • 1篇光学
  • 1篇光学声子
  • 1篇光学声子模
  • 1篇GAAS/A...

机构

  • 2篇内蒙古大学

作者

  • 2篇郝国栋
  • 1篇班士良

传媒

  • 1篇内蒙古大学学...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
有限深量子阱中电子迁移率的压力效应
本文考虑量子阱中三类光学声子模的影响，采用介电连续模型，运用力平衡方程讨论了GaAs／A1<,x>Ga<,1-x>As有限深量子阱中光学声子模对电子平行于界面方向迁移率的影响及其压力效应，并给出压力下迁移率随温度的变化关...
郝国栋
关键词：光学声子模电子迁移率压力效应
文献传递
有限深量子阱中电子迁移率的压力效应
2005年
考虑量子阱中局域类体光学声子模及界面光学声子模的影响,采用介电连续模型,运用力平衡方程研究GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中声子模对电子迁移率影响随阱宽的变化关系及其压力效应.结果表明,在窄阱时迁移率主要受界面光学声子模的影响,随着阱宽的增加,局域类体光学声子模对迁移率的影响逐渐增加;两种声子模的散射作用均使电子迁移率随外加压力增加而减小,在窄阱时压力效应更加明显.
郝国栋班士良
关键词：迁移率压力效应GAAS/ALXGA1-XAS
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