班士良
- 作品数：102 被引量：100H指数：6
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自然科学总论文化科学更多>>
- 流体静压力下应变闪锌矿(111)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的结合能(英文)被引量：6
- 2008年
- 结合变分法与自洽计算方法研究了流体静压力下应变闪锌矿(111)取向GaN/AlxGa1 -xN量子阱中受电子-空穴气体屏蔽的激子结合能.计算中,考虑了沿(111)取向生长多层结构时存在压电极化引起的内建电场.计算结果表明,考虑压力对双轴及单轴应变的调制以及禁带宽度、有效质量和介电常数等参数的压力效应时,激子结合能随压力的增大近似线性增加;且当电子-空穴气体密度大时,这一效应更加显著.当给定压力时,随着电子-空穴气面密度的增加,激子结合能先缓慢增加,但当密度达到大约1011cm-2时结合能开始迅速衰减.此外,当减小垒的厚度时,由于内建电场减弱,激子结合能显著增加.
- 哈斯花班士良
- 关键词：激子屏蔽效应
- 有限深量子阱中电子迁移率的压力效应
- 2005年
- 考虑量子阱中局域类体光学声子模及界面光学声子模的影响,采用介电连续模型,运用力平衡方程研究GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中声子模对电子迁移率影响随阱宽的变化关系及其压力效应.结果表明,在窄阱时迁移率主要受界面光学声子模的影响,随着阱宽的增加,局域类体光学声子模对迁移率的影响逐渐增加;两种声子模的散射作用均使电子迁移率随外加压力增加而减小,在窄阱时压力效应更加明显.
- 郝国栋班士良
- 关键词：迁移率压力效应GAAS/ALXGA1-XAS
- GaAs和ZnSe中极化子的压力效应
- 2005年
- 考虑电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,计入压力效应,采用改进的线性组合算符法讨论极性晶体中的Ⅲ～Ⅴ族GaAs和Ⅱ～Ⅵ族ZnSe极化子的性质.在中间耦合极限下,数值计算得到了这两种极化子的耦合常数、自陷能、有效质量和围绕电子的平均虚声子数随外加压力的变化关系.结果表明:压力对Ⅱ～Ⅵ族材料的影响比较大.
- 戈华班士良孟建英
- 关键词：极化子压力效应GAASZNSE
- 压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响被引量：4
- 2006年
- 考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系,并讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,屏蔽效应随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能.
- 温淑敏班士良
- 关键词：屏蔽杂质态结合能
- 压力下应变异质结中施主杂质态的Stark效应被引量：4
- 2008年
- 对应变GaN/AlxGa1-xN异质结系统,考虑理想界面突变势垒,引入简化相干势近似,采用变分法讨论了流体静压力下外界电场对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响.对GaN为衬底的闪锌矿应变异质结,分别计算了(001)和(111)取向时杂质态的结合能随压力、杂质位置、电场强度以及组分的变化关系.结果表明,杂质态结合能随流体静压力呈近线性变化.电场对杂质态的Stark效应则随杂质位置不同而呈现谱线蓝、红移动.此外,还讨论了在不同压力情况下,Al组分对杂质结合能的影响.当杂质处于GaN材料中且距界面较远时,Al组分的增加使电子的二维特性增强,从而使结合能增大,且压力加剧增幅的增加;当杂质处于AlxGa1-xN材料中,Al组分的增加削弱了杂质与电子间的库仑相互作用,故而结合能降低.
- 张敏班士良
- 关键词：杂质态STARK效应
- 电子横向运动对共振隧穿的影响被引量：2
- 2001年
- 讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明 ,在零偏压和非零偏压情况下 ,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。
- 宫箭班士良
- 关键词：共振隧穿透射系数半导体
- 电子-声子相互作用非对称双势垒共振隧穿的影响(英文)
- 2001年
- 理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流 .对Alx Ga1-x As/Ga As/Aly Ga1-y As结构作了数值计算 ,得到对声子辅助隧穿实验电流峰的一种新的理论上的合理辨认 .对宽量子阱理论上只有一个声子辅助峰 ,且接近阱内 LO声子的能量 .发现界面光学 ( IO)声子辅助隧穿是主要的 .
- 闫祖威梁希侠班士良
- 关键词：电子-声子相互作用共振隧穿光学声子
- 纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中电子的带间光吸收
- 在有效质量近似下，采用薛定谔方程和泊松方程自洽求解方法，计算电子-空穴气屏蔽下纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中电子和空穴的本征能量及相应的本征态。基于费米黄金法则，讨论Mg组分、结构尺寸、外加电场以及极化强度对电...
- 谷卓班士良
- SiO_2/Si波导应力双折射数值分析被引量：3
- 2005年
- 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数.
- 安俊明班士良梁希侠李健郜定山夏君磊李健光王红杰胡雄伟
- 关键词：SIO2/SI波导双折射
- 一种掺杂稀土元素的光伏薄膜材料
- 本发明涉及一种掺稀土元素的光伏薄膜材料，以稀土元素和光伏薄膜材料进行掺杂，获得掺稀土元素的光伏薄膜材料，所述光伏材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、多元化合物、有机聚合物中的一种，本发明制备的光伏薄膜材料具有磁学和半导体性质，...
- 刘盼周文平班士良
- 文献传递
