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郑照强

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇氧化锡
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇同轴纳米电缆
  • 2篇氢敏传感器
  • 2篇准一维
  • 2篇离子溅射
  • 2篇纳米电缆
  • 2篇纳米管
  • 2篇纳米光学
  • 2篇金膜
  • 2篇溅射
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇硅片
  • 2篇二氧化锡

机构

  • 5篇深圳大学

作者

  • 5篇郑照强
  • 5篇王冰
  • 4篇吴环宇
  • 1篇杨勇
  • 1篇高致慧
  • 1篇洪泽华
  • 1篇贺威
  • 1篇林伟豪
  • 1篇李金艳

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
氧化锌纳米钉的合成方法
本发明提供了一种氧化锌纳米钉的合成方法，所述氧化锌纳米钉的合成方法包括如下步骤：（1）将石墨和氧化锌粉末以质量比约为2:3的比例混匀；（2）在单晶硅片上通过离子溅射方式溅射一层金膜；（3）在离石墨和氧化锌的混合粉末附近放...
王冰郑照强吴环宇
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氧化锌纳米钉的合成方法
本发明提供了一种氧化锌纳米钉的合成方法，所述氧化锌纳米钉的合成方法包括如下步骤：（1）将石墨和氧化锌粉末以质量比约为2:3的比例混匀；（2）在单晶硅片上通过离子溅射方式溅射一层金膜；（3）在离石墨和氧化锌的混合粉末附近放...
王冰郑照强吴环宇
一种石墨烯气敏传感元件
本实用新型提供一种石墨烯气敏传感元件，包括：硅衬底层、氧化硅层、电极层和单层的石墨烯膜，所述氧化硅层位于硅衬底层上；所述电极层位于氧化硅层上；所述石墨烯膜位于氧化硅层上，并覆盖所述电极层。本实用新型在硅衬底层上生成一层氧...
林伟豪高致慧杨勇贺威郑照强洪泽华王冰李金艳
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单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器
本发明涉及一种氢敏传感器，所述单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器，包括基底及其上方的绝缘层、所述绝缘层上方搭载有若干电极，所述电极间通过单根同轴纳米电缆连接，所述单根同轴纳米电缆采用锡内芯，所述锡内芯外面包有一...
王冰郑照强吴环宇
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单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器
本发明涉及一种氢敏传感器，所述单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器，包括基底及其上方的绝缘层、所述绝缘层上方搭载有若干电极，所述电极间通过单根同轴纳米电缆连接，所述单根同轴纳米电缆采用锡内芯，所述锡内芯外面包有一...
王冰郑照强吴环宇
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