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赵聚朝
作品数:
3
被引量:11
H指数:2
供职机构:
中国工程物理研究院电子工程研究所
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相关领域:
电子电信
理学
核科学技术
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合作作者
邓建红
中国工程物理研究院电子工程研究...
王旭利
中国工程物理研究院电子工程研究...
詹峻岭
中国工程物理研究院电子工程研究...
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中国工程物理研究院电子工程研究...
杨怀民
中国工程物理研究院电子工程研究...
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机构
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作者
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赵聚朝
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徐曦
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杨怀民
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王旭利
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邓建红
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1篇
2006
2篇
2002
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N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应
被引量:3
2006年
介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应。芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量-165Gy(Si)。芯片失效时工作电流发生快速增长。实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理。
杨怀民
徐曦
邓建红
詹峻岭
赵聚朝
王旭利
袁国火
关键词:
计算机芯片
计算机系统抗γ瞬时加固技术的研究现状
2002年
武器用计算机系统必须具备在核爆产生的辐射环境中的生存能力,而国外在计算机系统抗γ瞬时辐射加固技术方面的研究。可以作为我们开展这方面研究工作的参考。
赵聚朝
关键词:
计算机系统
加固技术
反熔丝FPGA的电离总剂量效应与加固技术
被引量:8
2002年
简要叙述了商用 FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固问题 ,对 Actel公司反熔丝 FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析 ,包括制造工艺、偏置条件、电泵对总剂量效应的影响。并特别指出 ,电泵的退化可能会对系统造成较为严重的后果 ,因此 ,必须重视加电后的瞬态变化。提出了可以采取的加固措施。
赵聚朝
关键词:
加固技术
现场可编程门阵列
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