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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇加固技术
  • 1篇电离辐射
  • 1篇阵列
  • 1篇射线
  • 1篇射线剂量
  • 1篇现场可编程
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  • 1篇芯片
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  • 1篇计算机
  • 1篇计算机系
  • 1篇计算机系统
  • 1篇计算机芯片
  • 1篇X射线剂量

机构

  • 3篇中国工程物理...

作者

  • 3篇赵聚朝
  • 1篇徐曦
  • 1篇杨怀民
  • 1篇袁国火
  • 1篇詹峻岭
  • 1篇王旭利
  • 1篇邓建红

传媒

  • 1篇核技术
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇电子技术参考

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2002
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应被引量:3
2006年
介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应。芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量-165Gy(Si)。芯片失效时工作电流发生快速增长。实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理。
杨怀民徐曦邓建红詹峻岭赵聚朝王旭利袁国火
关键词:计算机芯片
计算机系统抗γ瞬时加固技术的研究现状
2002年
武器用计算机系统必须具备在核爆产生的辐射环境中的生存能力,而国外在计算机系统抗γ瞬时辐射加固技术方面的研究。可以作为我们开展这方面研究工作的参考。
赵聚朝
关键词:计算机系统加固技术
反熔丝FPGA的电离总剂量效应与加固技术被引量:8
2002年
简要叙述了商用 FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固问题 ,对 Actel公司反熔丝 FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析 ,包括制造工艺、偏置条件、电泵对总剂量效应的影响。并特别指出 ,电泵的退化可能会对系统造成较为严重的后果 ,因此 ,必须重视加电后的瞬态变化。提出了可以采取的加固措施。
赵聚朝
关键词:加固技术现场可编程门阵列
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