杨怀民
- 作品数：12 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 大规模集成电路芯片的X射线剂量增强效应
- 本文介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.实验测量了N80C196KC20单片机芯片X射线辐射剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.用Intel公司的N80C196...
- 杨怀民
- 关键词：大规模集成电路计算机芯片X射线
- 文献传递
- CMOS集成电路的闭锁特性和闭锁窗口分析被引量：5
- 2004年
- 由于布局结构的复杂性,CMOS集成电路可能存在多个潜在的寄生闭锁路径。各个闭锁路径因触发剂量率和闭锁维持电压、闭锁维持电流不同而相互影响,可能产生一个或多个闭锁窗口。在详细分析CMOS集成电路闭锁特性的基础上,建立了"三径"闭锁模型,对闭锁窗口现象进行了合理解释。
- 许献国杨怀民胡健栋
- 关键词：CMOS集成电路
- FLASHROM芯片高能中子单粒子效应研究
- 近年来高能中子(14MeV)对计算机存储器芯片的单粒子效应引起了广泛的注意.本文简要报告了FLASHROM存储器芯片的高能中子单粒子效应试验方法和结果.
- 杨怀民范思安胡尚斌王学智李健
- 关键词：高能中子单粒子效应存储器
- 文献传递
- N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应被引量：3
- 2006年
- 介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验，测量了电源工作电流ICC，芯片的功能失效表征了它的总剂量响应。芯片在较低的总剂量水平发生功能失效，γ失效总剂量-165Gy（Si）。芯片失效时工作电流发生快速增长。实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数，研究了剂量增强效应机理。
- 杨怀民徐曦邓建红詹峻岭赵聚朝王旭利袁国火
- 关键词：计算机芯片
- 双极晶体管脉冲中子辐射效应─瞬时退火实验研究被引量：5
- 1996年
- 本文介绍了快脉冲堆瞬态辐照试验的瞬时退火结果。实验采用了合理的试验方法和监测系统。在国内首先测到了三极管中子辐照的瞬时退火曲线，并与国外有关实验结果作了比较。
- 蒋英杰贾温海赵汝清杨怀民
- 关键词：脉冲中子源半导体器件
- 计算机大规模集成电路芯片抗辐射加固性能评估技术研究
- 研究了CMCS工艺计算机系统芯片的辐射效应,提出了一种计算机芯片生存能力抗辐射评估的基本概念,有关效据的收集与参量定义方法。对一种计算机芯片的辐射效应数据进行了处理和生存概率的计算。
- 杨怀民
- 关键词：抗辐射加固计算机系统
- 文献传递
- 80C31单片机系统伽玛剂量率闭锁窗口现象研究
- MVX闪光机上对80C31单片机系统进行了伽玛剂量率辐照试验。在试验中还观察到了计算机系统的闭锁窗口现象。在伽玛量率5.91E＋8rads(Si)/s至2.86E＋9rads(Si)/s之间80C31单片机系统发生了闭锁...
- 杨怀民
- 关键词：单片机
- 大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究被引量：3
- 2005年
- 研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验,发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出在反应堆的综合辐照环境下,中子电离效应较弱,并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低,使得总的静态电流下降,从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长。
- 徐天容杨怀民
- 关键词：中子射线电离辐照效应
- 对辐射感应闭锁窗口现象的解释被引量：1
- 2004年
- 中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时,出现了闭锁单窗口、多窗口现象。为了获得闭锁窗口的出现原因,借助对窗口现象的有关参考文献的研究,利用计算机电路模拟软件,分析了CMOS器件多个闭锁路径之间的相互作用。在此基础上,提出了解释窗口现象的"三径"闭锁模型。应指出的是,该闭锁模型还需要试验上的进一步验证与支持。
- 许献国杨怀民胡建栋
- 关键词：核电子学计算机模拟CMOS器件
- 低阈值瞬时辐射环境探测器研究
- 本文简要分析了多种半导体探测器的工作原理及其应用,对低阈值瞬时辐射环境探测器进行了重点研究。本文还介绍了低阈值探测器的瞬态效应试验,给出了结果。
- 杨怀民周开明赵刚赵聚朝
- 关键词：抗辐射加固半导体探测器
- 文献传递
