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徐曦

作品数：36 被引量：50H指数：5
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：国防科技工业技术基础科研项目中国工程物理研究院科技基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇会议论文
  • 17篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 19篇电子电信
  • 7篇核科学技术
  • 7篇理学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 9篇射线
  • 8篇总剂量
  • 8篇X射线
  • 6篇闭锁
  • 5篇单片
  • 5篇单片机
  • 5篇电路
  • 4篇核电子学
  • 4篇辐照效应
  • 4篇FPGA
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应管
  • 3篇总剂量辐照
  • 3篇加固技术
  • 3篇辐照
  • 3篇CMOS器件
  • 2篇低剂量
  • 2篇低剂量率
  • 2篇性能比较
  • 2篇延时电路

机构

  • 35篇中国工程物理...
  • 8篇北京邮电大学
  • 2篇西华大学
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中国测试技术...

作者

  • 36篇徐曦
  • 9篇牟维兵
  • 9篇詹峻岭
  • 7篇许献国
  • 6篇袁国火
  • 5篇赵刚
  • 5篇胡健栋
  • 3篇赵洪超
  • 3篇赵汝清
  • 2篇杨怀民
  • 2篇王旭利
  • 2篇杜川华
  • 2篇邓建红
  • 2篇董秀成
  • 2篇褚忠强
  • 1篇余军红
  • 1篇林惟锓
  • 1篇马戈
  • 1篇魏世民
  • 1篇王兴泽

传媒

  • 5篇强激光与粒子...
  • 5篇第八届全国抗...
  • 4篇核电子学与探...
  • 3篇微电子学
  • 3篇第九届全国抗...
  • 2篇核技术
  • 2篇第11届全国...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇信息与电子工...
  • 1篇中国测试技术
  • 1篇第三届全国物...
  • 1篇第十二届反应...
  • 1篇第六届全国抗...
  • 1篇中国工程物理...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 5篇2007
  • 6篇2006
  • 12篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2002
  • 1篇1999
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
红外探测器辐射损伤
综述了美国NMD中红外探测器受中子、γ总剂量和γ瞬时剂量率辐射后产生的损伤,也给出了这些器件在目前的抗辐射水平,并指出红外探测器是核爆辐射环境中最薄弱的系统之一,也是最先受到攻击的目标.
陈盘训徐曦邓建红
关键词：红外探测器
文献传递
用于抗闭锁的辐射敏感开关被引量：2
2005年
介绍了一种用于抗闭锁的辐射敏感开关。设计的辐射敏感开关在“闪光I”瞬时辐射模拟源上进行了实验考核。实验结果表明,该辐射敏感开关能够成功驱动超大规模集成电路,达到抗闭锁设计目的。
许献国胡健栋赵刚徐曦
关键词：集成电路
P沟和N沟MOS场效应管的辐照研究
本文通过对P沟MOS场效应管IRF9530和N沟MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈电压变化随辐照剂量近似一阶指数衰减关系.产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷...
牟维兵徐曦
关键词：场效应管辐照剂量
文献传递
抗X射线复合涂层环境适应性研究
2004年
介绍应用等离子喷涂设备制备抗 X 射线复合涂层的工艺方法,并针对复合涂层的环境适应性问题,研究了降低涂层材料氧化、热应力集中和减小基材变形的技术措施。定量分析了复合涂层的化学成分,测量了复合涂层之间的结合力等参数,并给出了复合涂层高低温、湿热、震动等环境适应性的实验结果数据。研究结果表明,抗 X射线复合涂层可以达到实用化要求。
赵洪超徐曦詹峻岭
关键词：核电子学环境适应性热喷涂
不同辐照条件下反熔丝FPGA的总剂量辐照效应研究
现场可编程集成电路FPGA得到了日益广泛的应用,这类器件是由典型外延CMOS工艺制造的,对γ电离总剂量辐射较为敏感。该文讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在两种不同偏置条件下的γ电离总剂量效应,并针对该公司...
袁国火徐曦
关键词：FPGA辐照效应
文献传递
封闭壳体X射线屏蔽效能测量方法被引量：3
2014年
针对X射线辐照环境中抗辐射加固技术研究的需求,建立了一种适用于电子系统封闭外壳的X射线屏蔽效能测量方法。以X射线机的轫致辐射输出为基础,通过滤波和多个连续谱的组合,实现了接近考核能谱的辐照X射线输出;利用Li F热释光探测器的优势,研究了X射线能量响应标定和屏蔽效能测量的应用方法。重点开展了20–100 ke V硬X射线辐照下封闭腔体屏蔽效能测量的实验研究,测量结果显示,除照射方向上的穿透X射线外,散射X射线对腔体内部剂量场具有显著的贡献。通过实验方法的建立和测量结果的分析,能为X射线抗辐射加固的结构设计和有效性评估提供实验参考。
罗剑辉周海生马戈黑东炜魏福利徐曦
关键词：X射线屏蔽效能热释光探测器
反熔丝FPGA电路γ瞬时辐射效应研究
本文简要叙述了基于反熔丝的现场可编程门阵列(FPGA)的基本结构,介绍了瞬态电离辐射效应的基本原理以及FPGA延时电路的工作原理,给出了该电路在'强光一号'加速器上的γ瞬时辐照效应测量结果.分析表明γ瞬时辐射会破坏FPG...
杜川华詹峻岭余军红徐曦
关键词：延时电路Γ剂量率
文献传递
MTM反熔丝FPGA总剂量及加固技术被引量：5
2007年
以ONO和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ONO反熔丝0.6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33.2Gy,而MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000 Gy的总剂量能力。从而比较得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。
袁国火徐曦董秀成
关键词：MTM反熔丝总剂量
场效应管X射线剂量增强的实验测量
如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置,以及实验测量的详细过程.得到了两种不同类型场效应管的辐照数据,根据实验数据计算了其剂量增强系数.剂量增强效应十分明显,IRF540场效应管在阈电压1.5V时相对剂量增强系...
牟维兵徐曦
关键词：场效应管X射线
文献传递
不同辐照条件下反熔丝FPGA的总剂量辐照效应研究
现场可编程集成电路FPGA得到了日益广泛的应用，这类器件是由典型外延CMOS工艺制造的，对γ电离总剂量辐射较为敏感。该文讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在两种不同偏置条件下的γ电离总剂量效应，并针对该公司...
袁国火徐曦
关键词：FPGA辐照效应
文献传递
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