蒋锴
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 76%光电转换效率梯度渐变折射率结构940nm半导体激光器(英文)被引量：6
- 2014年
- 为改善宽面940nm半导体激光二极管(LD)的输出功率及光电转换效率(WPE),设计并制作了一种包含梯度渐变折射率(GRIN)结构的新型量子阱激光器。通过二维自洽软件模拟计算了新结构激光器与传统分别限制结构(SCH)激光器的能带结构,结果表明新的激光器结构能够显著消除各异质结间的过渡势垒。通过低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法生长了高质量激光器外延材料。制成后的100μm条宽、2000μm腔长的激光器器件在室温25℃下经过连续(CW)电流测试发现,梯度渐变折射率结构激光器较分别限制结构激光器在10A电流下电压约低0.07V。通过结构与生长优化,激光器内吸收系数从0.52cm-1降至0.43cm-1,最大光电转换效率由69%提升至76%。最终制成的940nm半导体激光器器件室温25℃下输出功率10.0W(10A电流时),斜率效率高达1.24W/A。
- 蒋锴李沛旭沈燕张新汤庆敏任忠祥胡小波徐现刚
- 关键词：激光器激光二极管高功率
- 非对称结构大功率940nm量子阱激光器
- 2014年
- 为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44mm^(-1)。进而通过管芯工艺制作了条宽100μm、腔长2000μm的940 nm半导体激光器器件。25℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6 W,最大光电转化效率超过70%。
- 蒋锴李沛旭张新汤庆敏夏伟徐现刚
- 关键词：量子阱激光器大功率INGAAS/GAAS金属有机物化学气相沉积
- 4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究被引量：2
- 2010年
- 利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布。显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<112-0>方向容易出现裂缝。裂缝两侧有不同的生长形貌。拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志。纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<112-0>方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于<112-0>方向,轴向生长方向平行于<0001->方向。
- 彭燕宁丽娜高玉强徐化勇宋生蒋锴胡小波徐现刚
- 关键词：4H-SIC晶型转变
- MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料
- 2012年
- 设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500μm腔长的激光器器件,室温连续条件(CW)测试其阈值电流为650 mA,斜率效率高达到1.35 W/A,输出功率在11 W以上,激射波长808.5 nm@5A,水平和垂直发散角分别为8°和30°,较小的发散角有效的提高了输出光功率密度。
- 蒋锴李沛旭张新李树强夏伟夏伟胡小波徐现刚
- 关键词：量子阱激光器金属有机物化学气相沉积
