蒋华平
- 作品数：20 被引量：1H指数：1
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- 单极型SiC功率器件的最优漂移区解析模型
- 2015年
- 基于目前碳化硅（SiC）外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率器件的最优漂移区解析模型,得到了最优控制线,并采用Synopsys/Sentaurus软件进行了仿真验证。在此基础上进一步考虑了外延层厚度和掺杂浓度的影响,并针对常用电压等级的单极型SiC功率器件计算了典型误差值下的最优漂移区参数。计算结果表明,对于不同耐压等级,最优漂移区大致以电压等级每增加100 V厚度则增加1-1.2μm的速度变化。
- 蒋华平李诚瞻吴煜东
- 关键词：SIC功率器件比导通电阻解析模型漂移区
- 一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法
- 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终...
- 杨勇雄吴煜东何多昌蒋华平李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
- 文献传递
- 一种碳化硅功率器件结终端的制造方法
- 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤：步骤1：在外延层上形成牺牲层；步骤2：在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3：刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4...
- 蒋华平刘可安吴煜东李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
- 文献传递
- 半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法
- 本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法，耐压终端结构包括：第一掺杂区，以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构，刻蚀剖面从第一...
- 吴佳吴煜东刘可安李诚瞻史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎杨勇雄
- 文献传递
- 一种功率半导体器件的制作方法
- 本发明提供了一种功率半导体器件的制作方法，包括：在半导体基底的上表面形成图形化的第一掩膜；在所述半导体基底的上表面内形成漂移区；在半导体基底的上表面形成第二掩膜；采用清除剂去除所述第一掩膜，形成图形化的第二掩膜；在半导体...
- 蒋华平戴小平郑昌伟
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- 一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法
- 本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P<Sup>－</Sup>外延层，由于外延层之后的P<Sup>－</Sup>外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中...
- 赵艳黎刘可安李诚瞻高云斌蒋华平吴佳丁荣军
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- 一种功率器件结终端结构与制造方法
- 本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧...
- 蒋华平刘可安吴煜东李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
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- 肖特基势垒二极管及其制造方法
- 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂...
- 李诚瞻刘可安吴煜东杨勇雄史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎吴佳
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- 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法
- 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之...
- 李诚瞻吴煜东刘可安周正东史晶晶杨勇雄吴佳蒋华平赵艳黎
- SiC单极功率器件的最优漂移区解析模型
- 本文基于目前SiC外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,针对单极型SiC功率器件,对漂移区与耐压及比导通电阻的相互关系进行了分析.在此基础上,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率...
- 蒋华平李诚瞻吴煜东高云斌
- 关键词：碳化硅
- 文献传递
