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12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应被引量：1: 2011年; 对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)和失码(Misscode)在低剂量率下电离损伤更严重,表现出明显的低剂量率损伤增强效应(Enhanced-Low-Dose-Rate-Sensitivity,ELDRS)。结合工艺条件和空间电荷模型对ADC的损伤机理进行了讨论。; 吴雪陆妩王义元胥佳灵张乐情卢健于新胡天乐; 关键词：BICMOS 模数转换器剂量率

双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性被引量：2: 2013年; 介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量(1.8、1 MeV)不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后3种退火温度(室温,100、125℃)下随时间的变化,并讨论了引起电参数失效的机理。结果表明:与1 MeV辐照相比,1.8MeV电子辐照引起的LM837辐射损伤更明显;辐照过程中正偏条件下的偏置电流变化较零偏时的稍大;LM837辐照后的退火行为与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关。; 胡天乐陆妩何承发席善斌周东胥佳灵吴雪; 关键词：双极运算放大器电子辐照偏置条件退火

PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性被引量：4: 2013年; 研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律.分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理.结果表明:1MeV电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤,并且在正偏情况下比60Coγ源辐照造成的损伤大;辐照过程中,不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大;在不同的辐照源下,LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.; 胡天乐陆妩席善斌郭旗何承发吴雪王信; 关键词：PNP 偏置条件退火

不同电子能量辐照下偏置对运算放大器辐射效应的影响: 本文介绍了LM837双极运算放大器在1.8Mev、1Mev，不同能量不同束流、相同能量不同束流的电子辐照下的辐射效应及常温退火特性。试验结果表明：1.8MeV电子能量辐照引起的LM837辐射损伤比1Mev明显;辐照过程中...; 胡天乐陆妩席善斌胥佳灵吴雪张乐情卢健于新; 关键词：运算放大器电子能量偏置条件

不同偏置下10位双极模数转换器高低剂量率的辐射效应: 2012年; 研究了10位双极模数转换器(ADC)在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现,此类模数混合信号电路在不同偏置和不同剂量率辐照下的电离辐照响应有较大差异。同一电参数既表现出低剂量率损伤增强效应(ELDRS)又表现出时间相关效应(TDE)。研究结果进一步表明,低剂量率辐照0 V偏置是最劣偏置;与之相反,高剂量率辐照5 V偏置是最劣偏置,而加电阻偏置对辐照损伤有一定的抑制作用。最后,结合空间电荷模型和边缘电场效应对其辐照损伤差异及退火机理进行了初步探讨。; 胥佳灵陆妩吴雪何承发胡天乐卢健张乐情于新; 关键词：偏置条件 ELDRS

电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性被引量：3: 2015年; 本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理,并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理.结果表明,1.8 Me V和1 Me V电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤,相同束流下1.8 Me V电子造成的损伤比1 Me V电子更大,相同能量下0.32Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子.对于相同能量和束流的电子辐照,器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤.器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.; 姜柯陆妩胡天乐王信郭旗何承发刘默涵李小龙; 关键词：电子辐射退火

半导体材料电子非电离能损的分析法计算被引量：1: 2012年; 非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。; 于新何承发郭旗张兴尧吴雪张乐情卢建胥佳灵胡天乐

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胡天乐