肖婷
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种MIPM型内场发射阴极
- 本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下...
- 邹宇展长勇林黎蔚任丁刘波黄宁康肖婷
- 文献传递
- 一种MIPM型内场发射阴极
- 本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下...
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- HCl浓度对多孔硅微结构及Si-H键合的影响被引量：1
- 2016年
- 采用电化学湿法刻蚀制备了P型多孔硅,通过改变HCl溶液浓度来调整刻蚀液中的氢离子浓度。制备出的多孔硅孔径相同,孔深随着氢离子浓度的提高呈线性增大直至恒定。基于电流突发模型阐述了结构参数的变化:孔径的形成开始于刻蚀的初始阶段,空穴主导了初始阶段的腐蚀,空穴的迁移与消耗过程就是孔径扩张和孔壁形成的过程,该过程与硅片本身的性能密切相关,与氢离子浓度无关,故孔径基本恒定;氢离子浓度的提高加快氢的置换反应直至平衡,从而使反应总速率提高直至恒定,因此孔深先线性增大然后保持恒定;Si-H含量在一定范围内与孔深的变化吻合呈现上升趋势,且键合形式以Si-H2为主。
- 安红章吴开均肖婷展长勇任丁
- 关键词：无机非金属材料HCL多孔硅微结构SI-H
- 含IPA的TMAH溶液对湿法腐蚀硅倒金字塔阵列微观形貌演化的研究被引量：4
- 2011年
- 采用含异丙醇(IPA)的TMAH溶液腐蚀经Si_3N_4掩膜形成10μm×10μm窗口的单晶硅片。在硅片表面得到了内壁光滑的倒金字塔V型口阵列.研究发现:与纯TMAH对硅的各向异性腐蚀特性相比,添加IPA使TMAH溶液对硅各个晶面的腐蚀速率减小,致使含IPA的TMAH溶液对硅的腐蚀速率和各向异性因子比在纯TMAH中要小,通常认为,腐蚀形成的倒金字塔结构侧壁晶面为(111)面,但本研究表明,由各向异性腐蚀形成倒金字塔的侧壁晶面随腐蚀时间发生了一系列转化。在腐蚀开始时,倒金字塔侧面由(567)面逐渐向(111)面转化;继续腐蚀时,腐蚀面偏离(111)面,向(443)面转化。
- 肖婷刘波王新练王春芬任丁
- 关键词：材料表面与界面湿法腐蚀倒金字塔结构
- 一种用于放射性同位素伏特效应β电池的贮氚薄膜电极及其与半导体整合的设计
- 本发明公开了一种用于伏特效应放射性同位素β电池的新型电极，属于微机电系统的微电源领域和材料领域。此电极是在半导体表面制备的贮氚金属或贮氚合金薄膜，它与半导体能形成良好的欧姆接触，具有导电、贮氚功能。相比常规电极，此发明可...
- 邹宇任丁展长勇林黎蔚肖婷黄宁康
- 文献传递
