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加热处理的SiC-C涂层注H^＋前后表面形貌及其Si分布的研究被引量：3: 2009年; 为了提高放射性废物包装用的不锈钢材料的阻氚性能,采用离子束混合技术在不锈钢表面沉积低Z材料的SiC-C涂层,对50%SiC-C涂层进行不同条件的加热处理以及随后进行的剂量为1×1018/cm2H+的注入,研究涂层微观结构的变化,该研究为涂层的实际使用提供科学依据。研究结果表明:离子束混合沉积在不锈钢基体上的50%SiC-C涂层经加热处理后会发生涂层元素的扩散迁移。随着加热温度的提高,发生颗粒凝聚晶化现象;氢离子注入会产生非晶化效应,同时导致涂层元素Si向表面及界面的增强迁移。; 杜良曾俊辉张东杜纪富杨淑勤任丁刘宁黄宁康; 关键词：离子注入表面形貌

加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响被引量：2: 2007年; 利用Ar^+离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-SiC涂层,然后对部分样品进行加热去氩处理(400℃,30min),再用5keV氢离子源辐照样品。通过扫描电镜(SEM)的表面形貌观察、二次离子质谱仪(SIMS)的H与Ar元素深度分布和正离子质谱分析,研究去氩处理对氢离子辐照的C-SiC涂层的形貌和阻氢性能的影响。结果表明,经去氩处理,样品中不锈钢基体内的氢浓度降低了80%,显示出去氩处理的C-SiC涂层具有更高的阻氢性能。研究结果将为该技术应用于不锈钢基体上C-SiC涂层制备工艺的进一步改善提供依据。; 任丁张瑞谦黄宁康曾俊辉杜良张东; 关键词：扫描电镜二次离子质谱

一种新型多孔硅及其制备方法: 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电...; 展长勇任丁邹宇刘波林黎蔚黄宁康

Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜界面可控反应及热稳定性研究: 2013年; 利用多靶磁控溅射技术在SiO_2/Si基体上沉积Cu/Cu(Ge,Zr)多层薄膜,采用四探针仪(FPPT),X射线衍射仪(XRD),高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和原位纳米电子束探针能谱(EDS)表征多层薄膜退火前后电阻率、微观结构和界面成分的演变及行为.结果表明,在低温退火阶段(<200℃),Cu(Ge,Zr)膜层中Ge与Cu选择性反应形成低阻Cu_3Ge相,有效抑制Cu与Si的早期扩散;在高温下(>450℃),Zr原子在Cu_3Ge/SiO_2界面析出并与SiO_2层进一步反应形成稳定非晶ZrOx/ZrSiyOx化合物.Cu(Ge,Zr)薄膜中异质原子及与相邻膜层间分步选择性自反应合成高热稳Cu_3Ge/ZrO_x/ZrSi_yO_x复合阻挡层,使Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜具有高热稳定性.; 张彦坡任丁林黎蔚杨斌王珊玲刘波徐可为; 关键词：热稳定性

一种基于阵列式孔道的二级激发自毁芯片及其制备方法: 本发明公开了一种基于阵列式孔道的二级激发自毁芯片及其制备方法，该二级激发自毁芯片包括基底层和自毁结构；基底层为目标芯片；自毁结构设置于目标芯片的背面，包括加热电路、若干孔道以及含能材料层，道阵列式排布于目标芯片上的拟损毁...; 任丁邵梦凡刘波昂然林黎蔚; 文献传递

ZnSe抛光与其透过率关系的研究: ZnSe试样采用传统工艺进行抛光.并选择了以前较少使用的Cr2O3进行抛光液的配制。对经不同时间抛光后的ZnSe进行了红外谱的分析和原子力微观的形貌观察。结果表明,ZnSe的透过率在一定程度上取决于试样表面的粗糙度。对影...; 任丁姜辉黄宁康; 关键词：ZNSE 抛光透过率表面形貌; 文献传递

一种阻氢(氚)用的C－SiC涂层物理气相制备方法: 本发明公开了一种C－SiC阻氢(氚)保护涂层制备方法。该方法采用物理气相沉积技术即磁控溅射结合离子束轰击混合的技术，在Fe基体上制备具有多层结构的C－SiC涂层，涂层均匀致密，且与基体具有优良的结合强度，能使基体的阻氢(...; 黄宁康任丁杜纪富张瑞谦杨淑琴; 文献传递

调幅W(Mo)/Cu纳米多层膜He^+离子辐照响应行为被引量：1: 2013年; 用磁控溅射技术制备不同调幅波长(L)的W(Mo)/Cu纳米多层膜,所制膜系在60keV氦离子(He+)辐照条件下注入不同剂量:0,1×1017He+/cm2,5×1017He+/cm2.用X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电子显微镜(TEM)表征W(Mo)/Cu纳米多层膜辐照前后微观结构.研究结果表明:1)He+离子轰击引起温升效应是导致沉积态亚稳相β-W转变成稳态α-W相的主因,而与调幅波长无明确关联;2)纳米多层结构中W(Mo)和Cu膜显现出的辐照耐受性与调幅波长相关,调幅波长越小,抗He+的辐照性能越强;3)在5×1017He+/cm2注入条件下,观察到He团簇/泡在纳米结构W(Mo)和Cu膜中的积聚行为存在明显差异:在W(Mo)膜中He团簇/泡的分布与晶粒取向相关,He团簇/泡倾向于沿W(211)晶面分布;而Cu膜非晶化且He团簇/泡在其体内呈均匀分布.; 植超虎刘波任丁杨斌林黎蔚

一种MIPM型内场发射阴极: 本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下...; 邹宇展长勇林黎蔚任丁刘波黄宁康肖婷

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