王天琦
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：黑龙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响被引量：4
- 2010年
- 以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。
- 赵晓锋温殿忠王天琦丁玉洁
- 关键词：结构特性LPCVD退火
- SiO2层上沉积纳米多晶硅薄膜及特性研究
- 多晶硅薄膜在薄膜晶体管(TFT)领域具有重要应用，对于TFT，制备结晶度高、载流子迁移率大的多晶硅薄膜具有重要意义。本文采用LPCVD系统以高纯SiH4为气源，在p型4英寸<100>晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶...
- 赵晓锋王天琦温殿忠
- 关键词：多晶硅薄膜真空退火
- 文献传递
- 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器
- 温殿忠赵晓锋王璐胡靖王超刘丽英鞠鑫吴宇红孙慧明穆长生王天琦
- 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器项目来源于黑龙江省科技计划项目(任务书编号：GZ09A123)，2009年12月经黑龙江省科学技术厅批准立项.该项目通过采用CMOS工艺和MEMS技术在n型<100>晶...
- 关键词：
- 关键词：磁传感器单晶硅霍尔元件
- SiO_2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性被引量：2
- 2011年
- 采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm<100>晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30 nm、63 nm和98 nm.对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、800℃和900℃下进行高温真空退火.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征,随着薄膜厚度的增加,沉积态薄膜结晶显著增强,择优取向为<111>晶向.通过HP4145B型半导体参数分析仪对沉积态掺硼纳米多晶硅薄膜电阻I-V特性测试发现,随着薄膜厚度的增加,薄膜电阻率减小,载流子迁移率增大.
- 赵晓锋温殿忠王天琦丁玉洁
- 关键词：迁移率
- 纳米结构忆阻器制造技术研究
- 忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制电流的变化可改变其阻值，如果把高阻值定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻就可以实现存储数据的功能。实际上忆阻器就是一个有记忆功能的非线性电阻器。
2008年5月，...
- 王天琦
- 关键词：非线性电阻TIO2薄膜
- 文献传递
- EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜研究被引量：1
- 2006年
- 研究了〈100〉单晶硅在EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜,在EPW腐蚀液中因〈100〉单晶硅腐蚀速率各向异性,在圆形掩膜下很难实现圆形单晶硅膜.基于EPW腐蚀液中〈100〉单晶硅存在严重凸角削角,采用带锯齿(9个、20个、36个)结构的齿轮掩膜图形腐蚀制作近似圆形硅膜,通过采用SEM观察,随腐蚀时间增加,圆形掩膜EPW腐蚀后硅膜为近似方形,而带有36个锯齿结构的齿轮掩膜腐蚀后硅膜近似圆形.结果表明,利用掩膜锯齿结构在EPW腐蚀液中存在凸角削角现象,能够实现近似圆形硅膜的制作.
- 赵晓锋温殿忠王天琦任华
- 关键词：各向异性腐蚀MEMS
