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杨铭

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇量子效率
  • 1篇光电
  • 1篇光电发射
  • 1篇光电阴极
  • 1篇光学
  • 1篇负电子亲和势
  • 1篇GAN光电阴...

机构

  • 1篇南京理工大学

作者

  • 1篇王晓晖
  • 1篇杨铭
  • 1篇郭向阳
  • 1篇常本康
  • 1篇张益军

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
反射式负电子亲和势GaN光电阴极的光电发射及稳定性研究被引量：1
2011年
利用在线多信息紫外光电阴极激活评估系统,测试了真空室内两个GaN光电阴极Cs,O激活后及衰减6h和18h后补Cs的光谱响应特性曲线和量子效率曲线;并绘制了光纤光源波长为300nm的光电阴极响应电流衰减变化曲线.实验结果证明,GaN光电阴极较GaAs阴极具有更好的稳定性,量子效率可保持相对稳定达10h,然后缓慢衰减,衰减速率较窄禁带半导体材料低得多.补Cs后光电流最大值较刚激活完有16.8的增长,这充分证明阴极表面量子效率衰减的原因是Cs的脱附,而不是O的吸附.这些现象可由双偶极层模型来解释,GaN光电阴极的稳定性取决于激活后表面双偶极层的稳定性.
郭向阳常本康王晓晖张益军杨铭
关键词：光学光电阴极量子效率
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共1页<1>
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