郭向阳
- 作品数：7 被引量：19H指数：4
- 供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- NEA GaN光电阴极的量子效率研究
- GaN常温下禁带宽度为3.4eV，光谱响应的阈值波长为365nm，不吸收可见光，制成的紫外探测器可以做到可见光盲，不需要滤光系统。这样可以大大提高量子效率，满足紫外探测的需求。由GaN材料构成的负电子亲和势(NEA)光电...
- 郭向阳
- 关键词：GAN光电阴极量子效率光谱响应
- 文献传递
- 负电子亲和势氮化镓光电阴极的制备工艺被引量：1
- 2011年
- 利用自行研制的超高真空激活系统与表面分析系统,通过X射线光电子能谱(XPS)分析确定了采用的GaN(0001)化学清洗配方的有效性,并通过激活结果验证了达到原子级清洁表面所采用的加热清洁工艺的正确性。结合激活过程中的光电流变化曲线,确定了高温Cs单独激活与后续Cs/O交替激活相结合的工艺,成功制备了表面达到负电子亲和势(NEA)的GaN光电阴极。激活结束后,用光纤光源照射,测得光谱响应。通过计算得到量子效率曲线,验证了整套制备工艺的正确性。通过一系列实验,确立了一套制备NEA GaN光电阴极的工艺流程。
- 郭向阳王晓晖常本康张益军乔建良
- 关键词：光电子学GAN光电阴极量子效率
- 梯度掺杂与均匀掺杂GaN光电阴极的对比研究被引量：5
- 2011年
- 为了提高负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极的量子效率,利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)外延生长了梯度掺杂反射式GaN光电阴极,其掺杂浓度由体内到表面依次为1×1018cm-3,4×1017cm-3,2×1017cm-3和6×1016cm-3,每个掺杂浓度区域的厚度约为45nm,总的厚度为180nm.在超高真空系统中对梯度掺杂GaN光电阴极进行了激活实验,并与两种厚度为150nm,掺杂浓度分别为1.6×1017cm-3和3×1018cm-3的均匀掺杂反射式GaN光电阴极进行了对比.结果表明:Cs/O激活过程中,梯度掺杂GaN光电阴极光电流的增长速度和最大值都大于均匀掺杂,多信息量测试系统测得梯度掺杂NEAGaN光电阴极的最大量子效率达到了56%左右,比均匀掺杂的高出了近两倍.计算得出梯度掺杂NEAGaN光电阴极在浓度变化区域能带的弯曲量依次为0.024,0.018和0.031eV,能带弯曲所形成的内建电场使其获得了较大的电子漂移扩散长度,并且由于能带总的弯曲量达到了0.073eV,到达表面的光电子具有更高的能量,更容易逸出表面势垒,所以梯度掺杂NEAGaN光电阴极可以获得较高的量子效率.
- 王晓晖常本康钱芸生高频张益军郭向阳杜晓晴
- 关键词：梯度掺杂量子效率
- 反射式NEA GaN光电阴极量子效率恢复研究被引量：4
- 2011年
- 以反射式NEAGaN光电阴极充分激活、衰减以及补Cs后的量子效率曲线为依据,针对阴极量子效率的衰减规律和补Cs后的恢复状况,论述了NEAGaN光电阴极量子效率的衰减和恢复机理.经过重新Cs化处理,反射式NEAGaN光电阴极量子效率在240nm到300nm的短波区域恢复到激活后最好状态的94%以上,300nm到375nm的长波区域恢复到88%以上.结合反射式NEAGaN光电阴极衰减前后的表面势垒形状和反射式GaN光电阴极量子效率的计算公式,得到了量子效率曲线的衰减规律以及补Cs后的恢复状况与表面势垒形状改变之间的关系.
- 乔建良常本康钱芸生杜晓晴王晓晖郭向阳
- 关键词：NEAGAN光电阴极量子效率
- 反射式负电子亲和势GaN光电阴极的光电发射及稳定性研究被引量：1
- 2011年
- 利用在线多信息紫外光电阴极激活评估系统,测试了真空室内两个GaN光电阴极Cs,O激活后及衰减6h和18h后补Cs的光谱响应特性曲线和量子效率曲线;并绘制了光纤光源波长为300nm的光电阴极响应电流衰减变化曲线.实验结果证明,GaN光电阴极较GaAs阴极具有更好的稳定性,量子效率可保持相对稳定达10h,然后缓慢衰减,衰减速率较窄禁带半导体材料低得多.补Cs后光电流最大值较刚激活完有16.8的增长,这充分证明阴极表面量子效率衰减的原因是Cs的脱附,而不是O的吸附.这些现象可由双偶极层模型来解释,GaN光电阴极的稳定性取决于激活后表面双偶极层的稳定性.
- 郭向阳常本康王晓晖张益军杨铭
- 关键词：光学光电阴极量子效率
- 负电子亲和势GaN光电阴极光谱响应特性研究被引量：5
- 2010年
- 针对负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEAGaN光电阴极的光谱响应,给出了230—400nm波段内反射模式NEAGaN光电阴极的量子效率曲线.测试结果表明:反射模式下NEAGaN光电阴极在230nm具有高达37.4%的量子效率,在GaN光电阴极阈值365nm处仍有3.75%的量子效率,230nm和400nm之间的抑制比率超过2个数量级.文中还结合国外的研究结果,综合分析了影响量子效率的因素.
- 乔建良常本康钱芸生杜晓晴张益军高频王晓晖郭向阳牛军高有堂
- 关键词：负电子亲和势GAN光电阴极光谱响应
- GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较被引量：7
- 2010年
- 利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线。结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定,而后缓慢衰减。而GaAs光电阴极的光电流随时间近似呈指数衰减。结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分,分析原因主要是:两种阴极表面进行Cs/O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不同决定。GaN光电阴极激活后Cs以复杂氧化物存在,更加稳定,灵敏度的衰减主要是由未分解的氧引起,而GaAs灵敏度下降的原因主要是表面双偶极层中的Cs极易脱附,影响其稳定性。
- 郭向阳常本康乔建良王晓晖
- 关键词：光电发射稳定性量子效率
