杨端良
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 砷化镓射频开关复合介质包封退火技术
- 对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理性能好,重复性和均匀性好,成品率高,...
- 钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- Si^+注入GaAs及其退火中SiO_2包封的作用被引量：1
- 2000年
- 对Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ的前后及其退火的前后用和不用ＳｉＯ２包封进行了对比 实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率；在包封退火的情况下，光片注入 的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以，光片注入后包封退火较实用，它使载流 子分布窄，激活率高。
- 钮利荣杨端良李仲朋马式满
- 关键词：退火包封砷化镓
- 手机用GaAs SPDT开关的全离子注入技术被引量：1
- 2002年
- 对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良。
- 钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良
- 关键词：离子注入SPDT开关砷化镓
- 砷化镓射频开关复合介质包封退火技术
- 对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO<,2>+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理性能好,重复性和均匀性好,成...
- 钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- GaAs的B^+注入隔离被引量：1
- 1991年
- 本文报告了在注Si^+的GaAs有源层上进行B^+注入实现隔离的实验研究.结果表明,低剂量和高剂量的B^+注入都能形成高阻区,但低剂量注入形成的高阻区具有更好的隔离特性.本文还讨论了B^+注入n型GaAs消除载流子的补偿机理.
- 杨端良陈堂胜吴禄训
- 关键词：GAAS离子注入
