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杜鹏搏

作品数：10 被引量：14H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 7篇功率放大
  • 7篇功率放大器
  • 7篇放大器
  • 4篇单片
  • 4篇单片微波
  • 4篇单片微波集成...
  • 4篇电路
  • 4篇微波集成
  • 4篇微波集成电路
  • 4篇集成电路
  • 3篇GAN
  • 3篇KA波段
  • 3篇MMIC
  • 2篇放大器设计
  • 2篇GHZ
  • 1篇大信号
  • 1篇大信号模型
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电性能
  • 1篇电性能测试

机构

  • 9篇中国电子科技...
  • 5篇河北新华北集...
  • 2篇武汉大学
  • 2篇专用集成电路...
  • 1篇杭州电子科技...

作者

  • 10篇杜鹏搏
  • 4篇蔡树军
  • 2篇高学邦
  • 1篇付兴昌
  • 1篇张务永
  • 1篇刘健
  • 1篇吴洪江
  • 1篇默立冬
  • 1篇何泽召
  • 1篇崔玉兴
  • 1篇陈炳若
  • 1篇王生国
  • 1篇蔡克理
  • 1篇冯志红
  • 1篇徐伟
  • 1篇孙希国
  • 1篇苏国东

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 2篇电子与封装
  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇杭州电子科技...

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2013
  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于5G毫米波射频前端的功率放大器芯片套片
设计了一种由驱动级功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC)芯片和末级PA MMIC芯片组成的功率放大器芯片套片。驱动级PA采用Ga As工艺,在24～31GHz的频率范围内,小信号增益大于24dB,输入、输出反射系...
杜鹏搏崔朝探王瑜焦雪龙
关键词：功率放大器单片微波集成电路
便携式双色验钞器的设计与研制
2005年
对商品验钞器的现状和存在的问题进行了分析,提出了合理的解决方案.在理论分析的基础上,设计并研制出一种便携式双色验钞器,该装置以紫光发光二极管(LED)和红外半导体激光二极管(LD)作为双色光源,照射人民币的荧光标志产生不同的荧光效应,紫光激发的图案用肉眼可以清晰分辨,而红外光的激发图案为绿色光斑.该装置设计了自动报警系统,提高了验钞的可靠性.
杜鹏搏陈炳若
关键词：验钞
金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用被引量：2
2022年
随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展,其热耗不断增加,散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W/(m·K),是一种极具竞争力的新型散热材料,可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为53 W的GaN功率放大器进行封装。分别采用有限元仿真及红外热成像仪对放大器的芯片结温进行仿真和测试,结果显示,采用金刚石载片封装的放大器的结温比采用钼铜(MoCu30)载片封装的放大器的结温降低了30.01℃,约18.69%。同其他常用载片材料进行进一步对比得出,在相同工作条件下,采用金刚石载片封装的放大器结温最低,并且随着热耗增加,金刚石的散热能力更为突出。在芯片安全工作温度175℃以下,金刚石能满足GaN功率放大器100 W热耗的散热需求。
崔朝探陈政郭建超赵晓雨何泽召杜鹏搏杜鹏搏
关键词：有限元仿真散热能力
X波段小型封装GaN功率放大器设计被引量：1
2022年
基于GaN功率放大器模块化、小型化的发展需求,设计了一款X波段小型管壳封装的功率放大器。通过合理排布电路结构,实现了封装尺寸的小型化。由于器件功率密度不断提升,散热问题不容忽视,通过对不同材料的管壳底座进行热仿真分析,模拟芯片的温度分布,根据仿真结果选定底座材料为钼铜Mo70Cu30,利用红外热成像仪测试芯片结温为107.83℃,满足I级降额要求。最终设计的功率放大器尺寸为18.03 mm×8.70 mm×3.03 mm,在28 V工作电压脉冲测试条件下,9.3~9.5 GHz频带内饱和输出功率大于46 d Bm,功率附加效率大于36%,功率增益大于24.5 d B,电性能测试结果全部满足技术指标要求。
崔朝探陈政杜鹏搏杜鹏搏曲韩宾
关键词：电性能测试
Ka波段GaN HEMT大功率、高效率放大器MMIC被引量：8
2013年
采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制出Ka波段GaN大功率、高效率功率放大器MMIC。该单片功率放大器包含三级级联放大电路,采用了Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入/输出阻抗均匹配至50Ω。电路在34～36 GHz下,饱和输出功率大于6 W,功率增益大于13 dB,功率附加效率大于15%,芯片尺寸3.5 mm×1.8 mm,与目前国际报道的最好水平相当。
杜鹏搏徐伟王生国高学邦蔡树军
关键词：KA波段氮化镓单片微波集成电路高电子迁移率晶体管高功率
一种42~46 GHz高效率功率放大器设计
2020年
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标。芯片尺寸为2.70 mm×2.90 mm。芯片测试结果表明,在42~46 GHz内,饱和输出功率大于41 dBm,功率增益大于18 dB,功率附加效率大于30%。
杜鹏搏默立冬苏国东蔡树军
关键词：大信号模型功率放大器饱和输出功率功率附加效率
Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC被引量：3
2013年
采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36～40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。
杜鹏搏张务永孙希国崔玉兴高学邦付兴昌吴洪江蔡树军
关键词：砷化镓KA波段单片微波集成电路功率放大器
2-6 GHz小型化、高效率GaN功率放大器
2023年
基于GaN功率放大器小型化、轻薄化的发展趋势,选用陶瓷方形扁平无引脚(CQFN)管壳封装,设计了一种2~6GHz宽频带、小尺寸、高效率的功率放大器,并阐述了设计方法和研制过程。随着器件功率密度的不断升高,散热问题成为设计中不可忽略的因素,分别采用热仿真分析及红外热成像测试方法,得到功率放大器芯片的最高温度为198.61℃,能满足散热需求。功率放大器尺寸为7.0mm×7.0mm×1.2mm,在连续波测试条件下,漏极电压为28V,工作频带为2~6GHz,饱和输出功率大于40.5dBm,功率增益大于23dB,功率附加效率大于35%,测试结果均满足实际需求。
刘健张长城崔朝探李天赐杜鹏搏曲韩宾
关键词：小型化
钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响
2007年
利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比,结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性,对器件的高频特性无明显影响。
杜鹏搏蔡克理蔡树军
关键词：侧墙
Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC被引量：1
2022年
研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC)。MMIC采用三级级联放大结构,在末级采用簇丛型合成网络实现8胞功率合成,电路输入端和级间采用低通电抗式匹配网络,输出端采用带通电抗式匹配网络,并结合稳定网络实现高效稳定的特性。对所设计的功率放大器MMIC进行了流片验证,芯片面积为4.3 mm×2.9 mm。测试结果表明,在漏极偏置电压为20 V(100μs脉宽、10%占空比),栅极偏置电压为-1.6 V,输入功率为18 dBm的条件下,该款功率放大器MMIC的工作频率为27~33 GHz,饱和输出功率大于10 W,功率增益大于22 dB,功率附加效率高达30%。
杜鹏搏杜鹏搏焦雪龙刘学利崔朝探任志鹏曲韩宾
关键词：功率合成
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