李长鹏
- 作品数：13 被引量：66H指数：6
- 供职机构：山东大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- 掺杂的PNL-PFS-PZT铁电陶瓷性能研究
- 2000年
- 通过对几种不同的样品压电特性、机械品质因数和介电温谱等特性的对比和分析 ,研究了Pb (Li1/4Nb3 /4 )O3 Pb (Fe1/3 Sb2 /3 )O3 PbTiO3 PbZrO3 四元系陶瓷在不同配比和掺杂下的机电性能 ,发现该系列样品具有较高的压电常数 (可达 3 4 0× 10 -12 C/N)和介电驰豫温谱。文中还对该系列陶瓷的烧成工艺进行了一定的实验和对比 ,以寻找其最佳的烧成工艺。
- 李长鹏王矜奉王勇军陈洪存
- 关键词：烧成工艺铁电陶瓷
- 掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响被引量：12
- 2001年
- 通过对样品 V- I特性和势垒特性的测试和分析 ,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响。Sn O2 ·Co2 O3基本上不具有电学非线性 ,掺杂很少量的 Sb2 O3可明显改善材料的非线性。研究中发现掺杂 x ( Sb2 O3)为0 .0 1%的样品具有最高的质量密度 (ρ=6.90 g/ cm3)、最高的视在势垒电场 ( EB=2 76V / cm)和最好的电学非线性( α=12 .89)。提出了 Sn O2 · Co2 O3· Sb2 O3的晶界缺陷势垒模型。
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌刘华钟维烈张沛霖
- 关键词：氧化锑电学性能二氧化锡
- 铌对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛压敏-电容性能的影响被引量：17
- 2001年
- 研究了铌对（Ｙ，Ｎｂ）掺杂的二氧化钛压敏－电容性能的影响．研究中发现掺入０．１０ｍｏｌ％Ｎｂ２Ｏ５的样品显示出最低的视在电场（ＥＢ＝８．８Ｖ／ｍｍ）、最高的非线性常数（α＝７．０）以及最高的相对介电常数（εｒ＝７．６×１０４），与样品的晶界缺陷势垒特性、电容和电阻的频谱特性相一致．样品的性能变化可用Ｎｂ５＋对Ｔｉ４＋的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释．
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌
- 关键词：压敏材料二氧化钛压敏性能铌掺杂电容性能
- (Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究被引量：9
- 2001年
- 研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i+ 对 Sn4+ 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na+ 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌李明明
- 关键词：压敏材料二氧化锡电学性能掺杂压敏电阻器
- 掺钽的二氧化钛电容-压敏陶瓷电学性能研究被引量：19
- 2001年
- 通过对样品 I- V特性和势垒高度等参数的测定 ,研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的 x(Ta2 O5 ) 0 .2 5 %为的样品显示出最低的反转电压 (Eb=6 V/m m)、最高的非线性常数 (α=8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4)这与该样品最高且最窄的晶界缺陷势垒相一致。样品的电学性能变化可用Ta5 +对 Ti4+的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释。相应的缺陷势垒模型用来解释势垒的形成。
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌钟维烈张沛霖
- 关键词：压敏材料二氧化钛电学性能
- TiO<,2>与SnO<,2>压敏材料性能的研究
- 压敏电阻器由于其优异的电学非线性和消耗余能量的能力,在电子元器件的保护、避雷器和输电线路过压保护等方面得到了广泛的应用.压敏电阻器压敏特性来源于晶界缺陷势垒对载流子输运的影响,作者在此基础上通过对缺陷势垒的分析,阐释了搀...
- 李长鹏
- 关键词：压敏陶瓷电学性能
- 文献传递
- 掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响被引量：3
- 2001年
- 研究了钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响。研究中发现掺入 0 .2 5mol %Ta2 O5的样品显示出最低的反转电压 (Eb= 6V/mm)、最高的非线性常数 (α =8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4 ) ,与样品电容和电阻的频谱特性相一致。样品的性能变化可用Ta5+ 对Ti4 +
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌钟维烈张沛霖
- 关键词：压敏材料二氧化钛电学性能频谱钽掺杂
- Co_2O_3掺杂对SnO_2-Ni_2O_3-Nb_2O_5系压敏材料性能的影响被引量：1
- 2001年
- 研究并分析了Ni3 + 掺杂和Co2 + 掺杂对SnO2 压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响。研究了掺Co3 + 对SnO2 Ni2 O3 Nb2 O5压敏材料性能的影响。实验结果表明 ,Co2 O3 在高温下可转变为CoO。Co2 + 的掺入不仅能够增大SnO2 Ni2 O3 Nb2 O5材料的质量密度 ,而且能提高非线性系数 ,在较大程度上提高了SnO2 MgO Nb2
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌钟维烈张沛霖
- 关键词：压敏材料二氧化锡氧化钴电学性能
- 钨掺杂对二氧化钛压敏电阻瓷电性能的影响被引量：15
- 2002年
- 通过对样品的伏案性质、介电常数以及晶界势垒的测量和分析,研究了WO3对TiO2压敏电阻瓷电性能的影响。研究发现掺入x(WO3)为0.25%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为42.5V/mm,非线性系数α达到9.6,以及较高的相对介电常数(εr=7.41×104),是一种具有较好潜力的电容-压敏电阻器。通过不同烧结温度的实验,发现1 350℃是最佳烧结温度。类比ZnO压敏材料的晶界势垒模型,提出了适合TiO2压敏材料的肖特基势垒模型。
- 苏文斌王矜奉陈洪存王文新臧国忠李长鹏
- 关键词：压敏材料二氧化钛压敏电阻电子元件
- MnCO_3掺杂对SnO_2·Ni_2O_3·Nb_2O_5压敏材料性能的影响
- 2002年
- 研究并分析了 Ni3+ 掺杂和 Co2 + 掺杂对 Sn O2 压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响。研究了掺Mn2 +对 Sn O2 · Ni2 O3· Nb2 O5压敏材料性能的影响。发现 x(Mn CO3)为 0 .10 %时 ,压敏电阻具有最高的视在电场(EB=6 86 .89V/ m m)和最好的电学非线性性能 (α=12 .9)。样品的收缩率和致密度变化趋势不一致 ,这是因为样品的致密度是由收缩率和 Mn
- 李长鹏王矜奉陈洪存苏文斌钟维烈张沛霖
- 关键词：压敏材料二氧化锡碳酸锰掺杂压敏电阻器
